JEB05BXDF是一款高性能的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關電源、電機驅�、負載切換等領域。該器件采用了先進的制造工�,具備低導通電阻和快速開關速度的特�,適合需要高效能和高可靠性的電路設計�
其封裝形式為TO-252(DPAK�,有助于提高散熱性能并減少寄生電感的影響。此�,JEB05BXDF具有較低的柵極電荷和輸出電容,可以顯著降低開關損��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�5.1A
導通電阻:35mΩ
柵極電荷�11nC
總電容:220pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 極低的導通電阻(Rds(on))在同級別產(chǎn)品中表現(xiàn)�(yōu)�,能夠有效降低傳導損��
2. 快速開關能�,柵極電荷小,確保了高頻應用中的高效性能�
3. 高雪崩擊穿能力和魯棒性,適用于嚴苛的工作�(huán)��
4. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛�
5. 封裝設計�(yōu)化了散熱路徑,進一步提升了功率密度�
6. 良好的熱�(wěn)定性和電氣�(wěn)定�,延長了器件使用壽命�
1. 開關電源中的同步整流�
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IRFZ44N
STP55NF06L
FDP5580
AO3400