JEB36DF是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及開(kāi)關(guān)電路中。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),適用于需要高效能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。其封裝形式通常為T(mén)O-220,能夠承受較高的電流和電壓。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流:36A
導(dǎo)通電阻:15mΩ
柵極電荷:45nC
開(kāi)關(guān)時(shí)間:開(kāi)啟延遲時(shí)間10ns,上升時(shí)間15ns,關(guān)斷傳播時(shí)間25ns
JEB36DF具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可以有效降低功率損耗。
2. 高速開(kāi)關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
3. 較高的電流承載能力,可滿足大功率需求。
4. 封裝散熱性能良好,有助于提高系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性。
5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,增強(qiáng)了芯片在惡劣環(huán)境下的可靠性。
JEB36DF的主要應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. 開(kāi)關(guān)電源中的同步整流器。
2. 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
3. 電池保護(hù)及負(fù)載切換。
4. LED驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)元件。
5. 各種工業(yè)控制設(shè)備中的功率開(kāi)關(guān)。
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的負(fù)載控制模塊。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5802