JMJ212CB7106MGHT是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、逆變器以及其他需要高效功率轉換和開關控制的場�。該芯片采用先進的制造工藝,具備低導通電�、高開關速度以及�(yōu)異的熱性能等特性�
型號:JMJ212CB7106MGHT
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝形式:TO-247
最大漏源電�(Vds)�700V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�12A
導通電�(Rds(on))�0.18Ω(在Vgs=10V時)
功�(Ptot)�230W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
JMJ212CB7106MGHT具有出色的電氣特性和可靠��
1. 極低的導通電阻能夠顯著降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開關能力使其非常適合高頻應用環(huán)��
3. �(nèi)置ESD保護功能增強了器件的抗靜電能��
4. 良好的熱�(wěn)定性確保其能夠在極端溫度條件下可靠運行�
5. 封裝設計�(yōu)化了散熱路徑,提升了整體散熱性能�
6. 高耐壓值和大電流承載能力滿足多種功率應用需求�
JMJ212CB7106MGHT以其卓越的性能表現(xiàn)成為眾多工業(yè)級和消費級電子設備的理想選擇�
這款功率MOSFET適用于廣泛的領域,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS)的設計與制��
2. 工業(yè)電機�(qū)動及控制電路�
3. 太陽能逆變器中的功率轉換模��
4. 電動車窗、座椅調(diào)節(jié)等汽車電子系�(tǒng)的功率管��
5. 各類家電�(chǎn)品的負載切換和保護電路�
JMJ212CB7106MGHT憑借其�(yōu)異的性能和可靠�,在這些應用中提供了高效、穩(wěn)定的解決方案�
IRFP260N
FDP17N70
STP12NK70Z