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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > JSM50N06D

JSM50N06D 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 8:54:23 查看 閱讀�26

JSM50N06D 是一� N 溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,采� TO-220 封裝形式。它適用于多種開�(guān)和功率調(diào)節(jié)�(yīng)用,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特�。該器件通常被用于電源管�、電機驅(qū)動、負載開�(guān)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�
  這款 MOSFET 的額定電壓為 60V,能夠承受較高的漏源電壓,并且在高頻開關(guān)條件下表�(xiàn)出優(yōu)異的性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷�38nC(典型值)
  總功耗:125W
  �(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-220

特�

JSM50N06D 具有以下主要特性:
  1. 高電流承載能力:該器件可以支持高� 50A 的連續(xù)漏極電流,適合大功率�(yīng)用場��
  2. 低導(dǎo)通電阻:其導(dǎo)通電阻僅� 1.5mΩ(典型值),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能:由于其較低的柵極電荷和輸出電容,JSM50N06D 可以實現(xiàn)快速開�(guān),減少開�(guān)損��
  4. 高溫工作能力:該 MOSFET 的結(jié)溫范圍可達到 -55� � +175�,使其適用于極端溫度條件下的�(yīng)用�
  5. 熱穩(wěn)定性:采用 TO-220 封裝,具備良好的散熱性能,確保長時間�(wěn)定運行�
  6. 高可靠性:�(jīng)過嚴格的制造工藝控�,保證了器件在各種環(huán)境中的高可靠��

�(yīng)�

JSM50N06D 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開�(guān)或同步整流器使用,提供高效的功率�(zhuǎn)��
  2. 電機�(qū)動:用于直流無刷電機(BLDC)或其他類型電機的驅(qū)動電路中,提供精確的電流控制�
  3. 負載開關(guān):在需要頻繁切換負載的�(yīng)用中,例如汽車電子設(shè)備中,用作高效的負載開關(guān)�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于電池保護和充放電管理,提供可靠的過流保護功能�
  5. 工業(yè)自動化:在工�(yè)控制�(shè)備中,如變頻器、逆變器等,提供穩(wěn)定的功率輸出�

替代型號

IRFZ44N
  STP50NF06
  FDP50N06L

jsm50n06d推薦供應(yīng)� 更多>

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