JST60P30T2是一種大功率MOSFET晶體�,采用TO-247封裝形式。該器件主要�(yīng)用于高電流、高壓開(kāi)�(guān)�(chǎng)�,例如電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器等。它屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,具備低�(dǎo)通電阻和較高的耐壓能力,能夠有效降低功耗并提升效率�
JST60P30T2的設(shè)�(jì)目標(biāo)是提供可靠的性能,在高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)其堅(jiān)固的�(jié)�(gòu)適合工業(yè)和汽車級(jí)�(huán)境下的使��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�30A
脈沖漏極電流�90A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷(典型值)�85nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)�10ns,上升時(shí)�15ns,關(guān)斷延遲時(shí)�25ns,下降時(shí)�18ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
JST60P30T2具有以下�(guān)鍵特性:
1. 低導(dǎo)通電�,可顯著減少傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)�,減少開(kāi)�(guān)損��
3. 高額定電流能力,支持高達(dá)30A的連續(xù)漏極電流�
4. 耐雪崩能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
5. 小巧緊湊的TO-247封裝,便于散熱設(shè)�(jì)�
6. 廣泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
這些特點(diǎn)使JST60P30T2成為需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用的理想選擇�
JST60P30T2廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�,包括AC-DC適配器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng),特別是高性能�(wú)刷直流電�(jī)控制系統(tǒng)�
3. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源發(fā)電系�(tǒng)�
4. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)及電�(jī)控制��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和功率調(diào)節(jié)模塊�
由于其出色的電氣特性和可靠�,該器件在多種要求苛刻的�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
JST60P30T2L, IRF640N, FDP55N06L