JST70N40D5G是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),采用先進的制造工藝設計,適用于高頻開關和功率轉換場景。該器件屬于N溝道增強型MOSFET,主要應用于需要高效功率管理的場合。其封裝形式為TO-263(DPAK),適合表面貼裝技術(SMT)。該器件具有低導通電阻、高電流處理能力和出色的熱性能。
由于其卓越的電氣特性和可靠性,JST70N40D5G被廣泛用于工業(yè)控制、消費電子、通信設備以及其他對效率和性能要求較高的領域。
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流:70A
導通電阻:1.6mΩ
柵極電荷:89nC
開關時間:典型值ton=12ns,toff=17ns
工作結溫范圍:-55℃至+175℃
封裝類型:TO-263
JST70N40D5G具備以下顯著特點:
1. 極低的導通電阻,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力,支持高達70A的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應用。
3. 快速開關速度,確保在高頻工作條件下實現(xiàn)高效的功率轉換。
4. 出色的熱穩(wěn)定性,能夠承受極端溫度環(huán)境,從-55℃到+175℃的工作結溫范圍。
5. 采用TO-263封裝,兼容自動化生產和表面貼裝工藝。
6. 高可靠性設計,滿足嚴苛的工業(yè)標準和長期運行需求。
JST70N40D5G適用于多種功率轉換和控制應用場景,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率級開關元件。
2. 電機驅動器和逆變器電路中的功率開關。
3. 蓄電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開關或保護開關。
4. 充電器、適配器和其他便攜式設備的功率管理模塊。
5. 工業(yè)自動化設備中的功率轉換和控制單元。
6. 通信電源和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)的功率級組件。
JST70N40D5L, IRF7729PBF, FDP75N40AE