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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > K4B1G0846G-BCH9

K4B1G0846G-BCH9 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 15:46:30 查看 閱讀�27

K4B1G0846G-BCH9是三星(Samsung)生�(chǎn)的DDR3 SDRAM�(nèi)存芯�,屬于高密度存儲(chǔ)器系�。該芯片主要用于�(jì)算機(jī)、服�(wù)�、網(wǎng)�(luò)�(shè)備和其他需要高性能�(nèi)存的電子�(shè)備中�
  該型�(hào)具有高速數(shù)�(jù)傳輸和低功耗的特點(diǎn),適合需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用場��

參數(shù)

容量�1Gb
  組織�128Mx8
  I/O寬度�8�
  電壓�1.35V
  速度�1600Mbps
  封裝:BGA
  工作溫度�-40°C ~ +85°C

特�

K4B1G0846G-BCH9采用先�(jìn)的制程工藝制�,具備以下特性:
  1. 高速性能:支持高�(dá)1600Mbps的數(shù)�(jù)傳輸速率,能夠滿足現(xiàn)代計(jì)算設(shè)備對(duì)�(nèi)存帶寬的需��
  2. 低功耗設(shè)�(jì):運(yùn)行在1.35V電壓�,相比傳�(tǒng)的DDR3�(nèi)存芯片更加節(jié)��
  3. �(wěn)定性:�(jīng)過嚴(yán)格測�,確保在極端溫度范圍�(nèi)的可靠性和�(wěn)定��
  4. 小型化封裝:采用BGA封裝形式,有助于節(jié)省PCB空間,適合緊湊型�(shè)�(jì)需求�
  5. 廣泛兼容:符合JEDEC�(biāo)�(zhǔn),易于與其他硬件組件集成�

�(yīng)�

K4B1G0846G-BCH9廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(tái)式機(jī)和筆記本電腦�
  提供高效的內(nèi)存擴(kuò)展能�,提升系�(tǒng)整體性能�
  2. 工業(yè)控制�(shè)備:
  適用于工�(yè)自動(dòng)�、嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)�,保障長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
  3. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備:
  用于路由器、交換機(jī)等網(wǎng)�(luò)�(shè)備中,增�(qiáng)�(shù)�(jù)處理能力�
  4. �(yī)療和汽車電子�
  因其高可靠性和低功耗特�(diǎn),在�(yī)療儀器和車載信息系統(tǒng)中有廣泛�(yīng)��
  5. 存儲(chǔ)�(shè)備:
  可作為固�(tài)硬盤緩存或RAID控制器中的關(guān)鍵存�(chǔ)元件�

替代型號(hào)

K4B1G1646D-BHI9,K4B2G0846D-BHI9

k4b1g0846g-bch9推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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