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K4B1G1646E-HCF8 發(fā)布時間 時間:2025/4/30 9:12:44 查看 閱讀:31

K4B1G1646E-HCF8是由三星(Samsung)生產(chǎn)的一款DDR3 SDRAM內存芯片,廣泛應用于計算機、服務器和其他電子設備中。這款芯片采用先進的制造工藝,提供高帶寬和低功耗性能。其主要功能是為系統(tǒng)提供快速的數(shù)據(jù)存儲和訪問能力,支持高效的數(shù)據(jù)處理。
  該型號屬于三星的Green Package系列,注重環(huán)保與節(jié)能設計,符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的綠色要求。

參數(shù)

容量:1Gb (128Mb x 8)
  接口類型:DDR3
  工作電壓:1.35V
  數(shù)據(jù)速率:1600Mbps
  封裝形式:BGA 78-ball
  工作溫度:-40°C to +85°C
  I/O標準:1.5V VTT
  存取時間:11.25ns
  刷新模式:自動刷新/自刷新

特性

K4B1G1646E-HCF8具備高密度和高性能的特點,能夠滿足現(xiàn)代計算環(huán)境對速度和可靠性的嚴格要求。
  1. 支持 DDR3 標準,數(shù)據(jù)傳輸速率達到 1600 Mbps,顯著提升系統(tǒng)性能。
  2. 先進的低功耗設計,工作電壓為 1.35V,有效降低能源消耗。
  3. 高可靠性,在工業(yè)級溫度范圍內 (-40°C 至 +85°C) 均能穩(wěn)定運行。
  4. 封裝尺寸緊湊,便于在小型化設計中使用。
  5. 環(huán)保材料制成,符合 RoHS 標準,減少對環(huán)境的影響。

應用

這款芯片適用于多種需要高性能內存的場景,包括但不限于:
  1. 臺式電腦和筆記本電腦的內存條。
  2. 工業(yè)控制設備中的高速數(shù)據(jù)緩存。
  3. 網(wǎng)絡路由器和交換機的緩沖存儲。
  4. 醫(yī)療成像設備中的實時數(shù)據(jù)處理模塊。
  5. 游戲主機和其他消費類電子產(chǎn)品中的圖形加速存儲。

替代型號

K4B1G1646D-HYF8, K4B1G1646Q-HYF8

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