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K4B2G0846Q-BCKO 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 19:00:23 查看 閱讀�32

K4B2G0846Q-BCKO 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一� DDR3L �(nèi)存顆粒芯�。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝制造,支持低功耗的 1.35V 供電電壓,廣泛應(yīng)用于筆記本電�、平板設(shè)備以及其他需要高性能和低功耗內(nèi)存解決方案的�(lǐng)域。該芯片屬于大容� DRAM 芯片,具備高�(shù)�(jù)傳輸速率和穩(wěn)定性�
  DDR3L 技�(shù)的引入使得該芯片能夠在保證性能的同時顯著降低功�,從而延長電池驅(qū)動設(shè)備的�(xù)航時間�

參數(shù)

類型:DRAM
  子類型:DDR3L
  容量�2Gb (256M x 8)
  核心組織�8-bank
  工作電壓�1.35V
  I/O 電壓�1.35V
  �(shù)�(jù)速率�1600Mbps
  封裝類型:BGA 78-ball
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  引腳間距�1.0mm

特�

K4B2G0846Q-BCKO 提供了多種關(guān)鍵特性以滿足�(xiàn)代電子設(shè)備的需�。首�,其 DDR3L 架構(gòu)支持高達(dá) 1600 Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,確??焖俚臄?shù)�(jù)交換能力�
  其次,該芯片采用� 1.35V 的低功耗設(shè)計,相比傳統(tǒng)� DDR3 �(biāo)�(zhǔn)�1.5V�,能夠有效減少能�,特別適合對功耗敏感的�(yīng)用場��
  此外,這款芯片具有較高的穩(wěn)定性和可靠�,在各種溫度條件下都能保持一致的性能表現(xiàn)。同�,它支持突發(fā)長度� 8 � CAS 延遲選項(CL=11�,�(jìn)一步優(yōu)化了讀寫效�。最�,BGA 78-ball 封裝形式使其易于集成到小型化�(shè)計中�

�(yīng)�

K4B2G0846Q-BCKO 主要用于需要高性能�(nèi)存的電子�(shè)備中,例如:
  - 筆記本電腦和超極�
  - 平板電腦和其他移動設(shè)�
  - �(wǎng)�(luò)路由器及交換�(jī)
  - 工業(yè)控制�(shè)�
  - �(yī)療儀�
  - 嵌入式系�(tǒng)
  這些�(shè)備通常要求�(nèi)存芯片在有限的空間內(nèi)提供高效的性能和低功耗支持,� K4B2G0846Q-BCKO 正好滿足這些需��

替代型號

K4B2G0846D-BCK0, K4B2G0846Q-BCK0

k4b2g0846q-bcko推薦供應(yīng)� 更多>

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