K4B4G1646E-BMMA是三星(Samsung)推出的一款DDR3 SDRAM�(nèi)存芯�,主要用于需要高性能�(shù)�(jù)處理的應(yīng)用場(chǎng)景。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝制�,具有低功�、高頻率和大容量的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于�(tái)式電�、筆記本電腦、服�(wù)器以及嵌入式系統(tǒng)��
DDR3�(nèi)存以其更快的�(shù)�(jù)傳輸速率和更低的功耗,相較于前代DDR2有了顯著改�(jìn),成為當(dāng)�(shí)主流的內(nèi)存解決方案�
�(lèi)型:DDR3 SDRAM
容量�4Gb (512MB x 8)
組織�(jié)�(gòu)�512M x 8
核心電壓(Vcc)�1.35V
I/O電壓(Vccq)�1.35V
工作頻率�1600MHz
封裝形式:BGA 78-ball
�(shù)�(jù)寬度:x8
引腳間距�1.0mm
溫度范圍�0°C ~ 85°C
K4B4G1646E-BMMA采用DDR3技�(shù),支持On-Die Termination (ODT),以減少信號(hào)反射并提高信�(hào)完整��
它具備自�(dòng)刷新和自刷新功能,可以在系統(tǒng)待機(jī)�(shí)降低功��
該芯片還支持8位預(yù)取架�(gòu),使�(nèi)部數(shù)�(jù)傳輸速率更高,從而實(shí)�(xiàn)更高的外部數(shù)�(jù)帶寬�
同時(shí),其采用了低溫焊接工藝和更小尺寸的封�,使其非常適合對(duì)空間要求較高的應(yīng)用環(huán)��
此外,它在制造過(guò)程中�(yán)格控制了功�,確保符合現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)節(jié)能的需��
K4B4G1646E-BMMA主要�(yīng)用于需要高性能存儲(chǔ)的領(lǐng)�,例如:
�(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)和筆記本電腦中的內(nèi)存模塊(DIMM � SO-DIMM��
�(wǎng)�(luò)�(shè)備如路由器和交換�(jī)中的高速緩��
工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備中的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)與處��
游戲主機(jī)和圖形工作站等需要大量數(shù)�(jù)吞吐的應(yīng)用場(chǎng)��
嵌入式系�(tǒng)中的�(guān)鍵存�(chǔ)組件,如�(shù)字標(biāo)�、安防監(jiān)控設(shè)備等�
K4B4G1646F-BMCA, K4B4G1646Q-BCK0