時間：2025/5/8 19:51:20
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K4B4G1646E-BYK0 是三星（Samsung）推出的一款 DDR3L SDRAM 芯片，廣泛應用于計算機、服務器和其他需要高性能存儲的電子設備中。該芯片采用先進的制造工藝，具備低功耗和高穩(wěn)定性的特點，適合對內存性能要求較高的應用場景。
DDR3L 是 DDR3 的一個低電壓版本，工作電壓為 1.35V，相比標準 DDR3 的 1.5V 更節(jié)能。K4B4G1646E-BYK0 提供了高速的數(shù)據(jù)傳輸速率和大容量的存儲能力，是現(xiàn)代計算系統(tǒng)中的重要組成部分。
類型：DDR3L SDRAM
容量：4Gb (512MB x 8)
組織結構：16M x 16 x 8 Banks
電壓：1.35V
數(shù)據(jù)速率：1600 Mbps
封裝：FBGA 92-ball
工作溫度：-40°C 至 +85°C
引腳間距：1mm
K4B4G1646E-BYK0 具有以下主要特性：
1. 高速數(shù)據(jù)傳輸：支持高達 1600 Mbps 的數(shù)據(jù)速率，能夠滿足高性能計算的需求。
2. 低功耗設計：工作電壓為 1.35V，相較于傳統(tǒng)的 DDR3 芯片降低了功耗，有助于延長電池壽命并減少散熱需求。
3. 大容量：單顆芯片容量達到 4Gb，提供了更高的存儲密度。
4. 穩(wěn)定性：采用了先進的制造工藝，確保在各種環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
5. 小型化封裝：使用 FBGA 92-ball 封裝，尺寸緊湊，適合空間受限的應用場景。
6. 廣泛的工作溫度范圍：支持從 -40°C 到 +85°C 的工作溫度范圍，適應多種環(huán)境條件。
K4B4G1646E-BYK0 主要應用于以下領域：
1. 筆記本電腦和超極本：
由于其低功耗特性和高性能，K4B4G1646E-BYK0 是筆記本電腦和超極本的理想選擇，能夠提供快速的數(shù)據(jù)訪問和較長的電池續(xù)航時間。
2. 服務器和工作站：
在服務器和工作站中，該芯片可以用于構建高密度內存模塊，以支持多任務處理和大數(shù)據(jù)應用。
3. 嵌入式系統(tǒng)：
適用于工業(yè)控制、網絡通信和消費類電子產品等嵌入式系統(tǒng)，提供可靠的內存解決方案。
4. 游戲設備：
在游戲主機和高端顯卡中，K4B4G1646E-BYK0 可以為圖形處理提供快速的數(shù)據(jù)傳輸和支持。
K4B4G1646E-BCK0
K4B4G1646F-BCA0
K4B4G1646Q-BCK0
