K4B4G1646E-BYK0 是三星(Samsung)推出的一� DDR3L SDRAM 芯片,廣泛應用于計算�、服務器和其他需要高性能存儲的電子設備中。該芯片采用先進的制造工�,具備低功耗和高穩(wěn)定性的特點,適合對內存性能要求較高的應用場��
DDR3L � DDR3 的一個低電壓版本,工作電壓為 1.35V,相比標� DDR3 � 1.5V 更節(jié)�。K4B4G1646E-BYK0 提供了高速的�(shù)�(jù)傳輸速率和大容量的存儲能力,是現(xiàn)代計算系�(tǒng)中的重要組成部分�
類型:DDR3L SDRAM
容量�4Gb (512MB x 8)
組織結構�16M x 16 x 8 Banks
電壓�1.35V
�(shù)�(jù)速率�1600 Mbps
封裝:FBGA 92-ball
工作溫度�-40°C � +85°C
引腳間距�1mm
K4B4G1646E-BYK0 具有以下主要特性:
1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支持高� 1600 Mbps 的數(shù)�(jù)速率,能夠滿足高性能計算的需��
2. 低功耗設計:工作電壓� 1.35V,相較于傳統(tǒng)� DDR3 芯片降低了功�,有助于延長電池壽命并減少散熱需求�
3. 大容量:單顆芯片容量達到 4Gb,提供了更高的存儲密度�
4. �(wěn)定性:采用了先進的制造工�,確保在各種�(huán)境下的穩(wěn)定運��
5. 小型化封裝:使用 FBGA 92-ball 封裝,尺寸緊�,適合空間受限的應用場景�
6. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -40°C � +85°C 的工作溫度范�,適應多種環(huán)境條件�
K4B4G1646E-BYK0 主要應用于以下領域:
1. 筆記本電腦和超極本:
由于其低功耗特性和高性能,K4B4G1646E-BYK0 是筆記本電腦和超極本的理想選擇,能夠提供快速的�(shù)�(jù)訪問和較長的電池�(xù)航時��
2. 服務器和工作站:
在服務器和工作站�,該芯片可以用于構建高密度內存模�,以支持多任務處理和大數(shù)�(jù)應用�
3. 嵌入式系�(tǒng)�
適用于工�(yè)控制、網絡通信和消費類電子產品等嵌入式系統(tǒng),提供可靠的內存解決方案�
4. 游戲設備�
在游戲主機和高端顯卡中,K4B4G1646E-BYK0 可以為圖形處理提供快速的�(shù)�(jù)傳輸和支��
K4B4G1646E-BCK0
K4B4G1646F-BCA0
K4B4G1646Q-BCK0