時間：2025/5/9 17:59:57
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K4F6E304HB-MGCJ 是一款由三星（Samsung）生產(chǎn)的 DDR4 內(nèi)存顆粒芯片。該芯片主要用于計算機、服務(wù)器和其他需要高性能數(shù)據(jù)處理的電子設(shè)備中，提供高速的數(shù)據(jù)傳輸能力和大容量的存儲支持。
DDR4（Double Data Rate 4）是第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存技術(shù)，與前幾代相比具有更高的性能、更低的功耗和更可靠的穩(wěn)定性。K4F6E304HB-MGCJ 在制造工藝上采用了先進的納米級制程，以確保芯片在高頻運行時仍能保持較低的功耗。
類型：DRAM
接口：DDR4
容量：8Gb (1Gb=128MB)
位寬：x8
工作電壓：1.2V
數(shù)據(jù)速率：3200Mbps
封裝形式：BGA
引腳數(shù)：78-ball
溫度范圍：-40°C to +95°C
刷新模式：Auto/self refresh
K4F6E304HB-MGCJ 提供了高帶寬和低延遲的數(shù)據(jù)傳輸能力，其主要特性包括：
1. 支持高達 3200 Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率，能夠滿足高性能計算和圖形處理的需求。
2. 工作電壓為 1.2V，比之前的 DDR3 標準降低了功耗，提高了能效。
3. 內(nèi)置 ECC（Error Correction Code）功能，可檢測并糾正單比特錯誤，從而提高數(shù)據(jù)的完整性。
4. 具有自動刷新和自刷新功能，可在待機狀態(tài)下維持數(shù)據(jù)的完整性，同時減少功耗。
5. BGA 封裝形式使其適合用于空間受限的緊湊型設(shè)計。
6. 支持多種省電模式，例如深度電源下降（DPD）模式，進一步優(yōu)化了功耗表現(xiàn)。
K4F6E304HB-MGCJ 廣泛應(yīng)用于需要高容量、高速度內(nèi)存的場景，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括：
1. 臺式電腦和筆記本電腦的內(nèi)存條。
2. 企業(yè)級服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的內(nèi)存模塊。
3. 高性能計算系統(tǒng)中的內(nèi)存擴展。
4. 圖形工作站和游戲設(shè)備中的顯存組件。
5. 網(wǎng)絡(luò)設(shè)備如路由器和交換機的緩存系統(tǒng)。
6. 嵌入式系統(tǒng)中需要高性能內(nèi)存的部分，例如工業(yè)控制或醫(yī)療成像設(shè)備。
K4F6E304HB-MGC0, K4F6E304HB-MGCQ
