K4T1G044QQ-HCE6 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一� DDR4 �(nèi)存顆粒芯�,廣泛應(yīng)用于臺式�(jī)、筆記本電腦和服�(wù)器等�(shè)備中。該型號采用先�(jìn)的制程工藝制造,具備高帶�、低功耗的特性,支持 JEDEC �(biāo)�(zhǔn),適用于�(gòu)建高性能�(jì)算系�(tǒng)�
這款�(nèi)存芯片內(nèi)部采用了 8Gb 容量�(shè)�(jì),通過組合多顆芯片可實(shí)�(xiàn)更大容量的內(nèi)存模組,例如 8GB � 16GB � DIMM � SO-DIMM 模塊�
類型:DDR4 DRAM
容量�8Gb (1GB)
電壓�1.2V
速度�3200Mbps
封裝:BGA 78-ball
I/O �(biāo)�(zhǔn)�1.2V DDR4
組織�(jié)�(gòu)�512M x 8
溫度范圍�-40°C � +95°C
工作頻率�3200MT/s
K4T1G044QQ-HCE6 提供了出色的性能表現(xiàn)和穩(wěn)定�。其主要特性包括:
1. 高速傳輸:支持高達(dá) 3200Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代應(yīng)用對帶寬的需��
2. 低功耗設(shè)�(jì):采� 1.2V 電壓�(biāo)�(zhǔn),相比前� DDR3 芯片降低了功��
3. 先�(jìn)工藝:基于三星領(lǐng)先的半導(dǎo)體技�(shù)制造,提升了可靠性和效率�
4. 廣泛兼容性:遵循 JEDEC DDR4 �(biāo)�(zhǔn),確保與主流主板及系�(tǒng)的兼容性�
5. �(wěn)定性:�(jīng)過嚴(yán)格的測試流程,保證在各種工作�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
K4T1G044QQ-HCE6 主要�(yīng)用于需要高性能�(nèi)存支持的場景,包括但不限于:
1. 臺式電腦:用于構(gòu)建高效能的游戲主�(jī)或工作站�
2. 筆記本電腦:為輕薄型筆記本提供足夠的�(nèi)存支��
3. 服務(wù)器:適合�(shù)�(jù)中心或企�(yè)級服�(wù)器使�,以提高�(shù)�(jù)處理能力�
4. 工業(yè)�(jì)算機(jī):在工業(yè)自動化和嵌入式系�(tǒng)中作為核心存儲部件�
5. �(shù)�(jù)密集型應(yīng)用:如人工智�、大�(shù)�(jù)分析等領(lǐng)�,能夠有效加速數(shù)�(jù)讀取和處理過程�
K4T1G164QF-HCJ1
K4T1G084QB-HCK1
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