K4T1G164QE-HCE6 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一� DDR4 �(nèi)存顆粒芯�。該芯片主要用于計算機內(nèi)存條、服�(wù)器以及各種需要高性能�(shù)�(jù)處理的電子設(shè)備中。DDR4 相較于之前的 DDR3,具有更高的�(shù)�(jù)傳輸速率和更低的工作電壓,從而提高了效率并降低了功��
該型號屬于高密度存儲芯片,能夠滿足現(xiàn)代計算設(shè)備對大容量和高速度�(nèi)存的需��
類型:DRAM
接口:DDR4
容量�1Gb (128Mb x 8)
工作電壓�1.2V
封裝形式:BGA
�(shù)�(jù)速率�3200 MT/s
I/O 引腳�(shù)�78
工作溫度�-40°C to +85°C
K4T1G164QE-HCE6 具備以下顯著特性:
1. 高速性能:支持高� 3200MT/s 的數(shù)�(jù)傳輸速率,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體運行速度�
2. 節(jié)能設(shè)計:采用 1.2V 工作電壓,相� DDR3 � 1.5V 更加節(jié)��
3. �(wěn)定性:�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量控制和測試,確保在各種�(yīng)用場景下具備出色的穩(wěn)定性和可靠��
4. 小型化封裝:使用 BGA 封裝技�(shù),有助于減小 PCB 占用空間,適合緊湊型�(shè)��
5. 廣泛兼容:適用于多種平臺和架�(gòu),包括臺式機、筆記本電腦和服�(wù)器等�
K4T1G164QE-HCE6 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 計算機內(nèi)存條:廣泛用于臺式機和筆記本電腦� DDR4 �(nèi)存模塊中�
2. 服務(wù)器和�(shù)�(jù)中心:為服務(wù)器提供大容量、高性能的內(nèi)存支��
3. 工業(yè)�(shè)備:�(yīng)用于工業(yè)自動化系�(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備以及其他對�(nèi)存性能要求較高的場��
4. 嵌入式系�(tǒng):適用于需要高效數(shù)�(jù)處理能力的嵌入式解決方案�
5. 游戲硬件:支持高性能的游戲主機和顯卡�(nèi)存需求�
K4T1G164QF-HCJ6
K4T1G164QD-HCC6
K4T1G164QC-HCD6