K4T51163QG-BCF7是三星(Samsung)生�(chǎn)的一款DDR4 ECC SDRAM�(nèi)存芯�,廣泛應用于服務�、網(wǎng)絡設備和高性能計算領域。該芯片支持糾錯碼(ECC)功�,能夠有效提升數(shù)�(jù)存儲的可靠性,適用于對�(shù)�(jù)完整性要求較高的場景�
這款芯片采用先進的制程工藝制�,具備低功耗、高性能的特�,同時支持高頻率運行,從而滿足現(xiàn)代計算系�(tǒng)對速度和穩(wěn)定性的需求�
類型:DDR4 ECC SDRAM
容量�8Gb (1Gx8)
核心電壓�1.2V
I/O電壓�1.2V
封裝:BGA
引腳�(shù)�96-ball
�(shù)�(jù)速率�2666Mbps
溫度范圍�-40°C�+95°C
ECC支持:支�
K4T51163QG-BCF7是一款專為高性能計算設計的DDR4�(nèi)存芯片,具有以下特點�
1. 支持ECC功能,可檢測并糾正單比特錯誤,顯著提高數(shù)�(jù)完整��
2. �(shù)�(jù)傳輸速率高達2666Mbps,提供快速的�(shù)�(jù)處理能力�
3. 工作電壓�1.2V,相比之前的DDR3標準降低了功��
4. 高密度存儲設�,單顆芯片即可提供大容量存儲�
5. 工作溫度范圍�,適應多種環(huán)境條件,確保在極端溫度下的穩(wěn)定��
6. 封裝形式為BGA,適合高密度PCB設計,減少信號干�,提升整體性能�
K4T51163QG-BCF7主要應用于需要高可靠性和高性能的領�,包括但不限于:
1. 企業(yè)級服務器和存儲設��
2. �(wǎng)絡路由器和交換機等通信設備�
3. 工業(yè)控制和嵌入式系統(tǒng)�
4. 高性能計算(HPC)平��
5. �(shù)�(jù)中心基礎設施�
K4T51163QG-BCF8