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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > K4T51163QG-HCE7

K4T51163QG-HCE7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 15:39:37 查看 閱讀�29

K4T51163QG-HCE7 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一� DDR4 �(nèi)存顆粒芯片,主要�(yīng)用于�(tái)式機(jī)、筆記本電腦、服�(wù)器和其他需要高性能�(nèi)存支持的電子�(shè)備中。該型號(hào)采用了先�(jìn)的制程工藝,在性能和功耗之間實(shí)�(xiàn)了良好的平衡,適合高頻率�(yùn)行環(huán)��
  DDR4 相較于前� DDR3 具有更高的數(shù)�(jù)傳輸速率、更低的工作電壓以及更大的存�(chǔ)密度。K4T51163QG-HCE7 支持 ECC �(cuò)誤校�(yàn)功能,適用于�(duì)�(shù)�(jù)可靠性要求較高的場景�

參數(shù)

容量�8Gb (1GB)
  類型:DDR4 DRAM
  組織�(jié)�(gòu)�512M x 16
  工作電壓�1.2V
  接口:BGA 封裝
  I/O 電壓�1.2V
  速度�3200Mbps
  溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝:BGA 92 �

特�

K4T51163QG-HCE7 屬于高性能 DDR4 �(nèi)存芯片系�,具有以下顯著特�(diǎn)�
  1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支持高�(dá) 3200Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,能夠滿足現(xiàn)代計(jì)算任�(wù)的需��
  2. 節(jié)能設(shè)�(jì):采� 1.2V 工作電壓,相� DDR3 � 1.5V 更加節(jié)��
  3. 可靠性強(qiáng):支� ECC 功能,能夠在檢測到單比特�(cuò)誤時(shí)�(jìn)行自�(dòng)糾正,提高數(shù)�(jù)完整��
  4. 先�(jìn)工藝:使用了三星�(lǐng)先的半導(dǎo)體制造技�(shù),具備高密度和低功耗特��
  5. 廣泛兼容:適配多種主流平�(tái),支� JEDEC �(biāo)�(zhǔn)�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于需要高性能�(nèi)存的�(lǐng)域,包括但不限于�
  1. �(tái)式電腦及筆記本電腦內(nèi)存模�
  2. �(shù)�(jù)中心與企�(yè)�(jí)服務(wù)�
  3. 工業(yè)控制�(shè)�
  4. �(yī)療成像設(shè)�
  5. 嵌入式系�(tǒng)中的大容量存�(chǔ)需�
  K4T51163QG-HCE7 的高速率和高可靠性使其成為上述應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

K4T51163QF-HCE7
  K4T51163QH-HCE7
  K4T51163QG-HCE8

k4t51163qg-hce7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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