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K4T51163QI-HCF7 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 21:28:02 查看 閱讀：12

K4T51163QI-HCF7是三星（Samsung）生產(chǎn)的一款DDR4 ECC UDIMM內(nèi)存模組。該產(chǎn)品專為需要高可靠性和數(shù)據(jù)完整性的服務(wù)器和工作站設(shè)計(jì)，采用糾錯(cuò)碼（ECC）技術(shù)以檢測(cè)和糾正單比特錯(cuò)誤，從而提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
　　這款內(nèi)存模組支持DDR4標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的帶寬和更低的功耗，同時(shí)提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，非常適合多任務(wù)處理和高性能計(jì)算場(chǎng)景。

參數(shù)

容量：8GB
　　類型：DDR4 ECC UDIMM
　　頻率：2666MHz
　　Voltage：1.2V
　　ECC支持：Yes
　　引腳數(shù)：288-pin
　　工作溫度：0°C to 85°C
　　封裝形式：UDIMM
　　數(shù)據(jù)寬度：x64

特性

K4T51163QI-HCF7具備以下關(guān)鍵特性：
　　1. 高性能：支持DDR4-2666標(biāo)準(zhǔn)，提供高達(dá)21.3GB/s的理論帶寬，滿足現(xiàn)代應(yīng)用對(duì)高速數(shù)據(jù)處理的需求。
　　2. 糾錯(cuò)功能：集成ECC（Error Correction Code）技術(shù)，能夠?qū)崟r(shí)檢測(cè)和修正單比特錯(cuò)誤，降低系統(tǒng)崩潰風(fēng)險(xiǎn)。
　　3. 節(jié)能設(shè)計(jì)：運(yùn)行電壓僅為1.2V，相比DDR3模組降低了功耗，有助于減少散熱需求。
　　4. 高密度存儲(chǔ)：通過先進(jìn)的制程工藝實(shí)現(xiàn)高密度芯片封裝，使8GB容量能夠在緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)。
　　5. 兼容性強(qiáng)：符合JEDEC DDR4規(guī)范，可與主流服務(wù)器主板兼容。

應(yīng)用

K4T51163QI-HCF7適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 企業(yè)級(jí)服務(wù)器：提供可靠的內(nèi)存解決方案，用于虛擬化、數(shù)據(jù)庫(kù)管理等任務(wù)。
　　2. 工作站：支持復(fù)雜的圖形處理、科學(xué)計(jì)算和工程仿真。
　　3. 數(shù)據(jù)中心：在大規(guī)模計(jì)算環(huán)境中保障數(shù)據(jù)完整性，提升整體效率。
　　4. 醫(yī)療設(shè)備：確保醫(yī)療成像和診斷設(shè)備的精確性。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化：為工業(yè)控制和監(jiān)控系統(tǒng)提供穩(wěn)定的內(nèi)存支持。

替代型號(hào)

K4T51163QI-HCK7
　　K4T51163QI-HCC7
　　MUCT51GALD2C4EGCN-AP

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