K4U6E3S4AA-MGCL 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一� DDR5 SDRAM �(nèi)存顆�,廣泛應(yīng)用于高性能�(jì)�、服�(wù)器和�(tái)式機(jī)等場(chǎng)�。DDR5 技�(shù)作為新一代內(nèi)存標(biāo)�(zhǔn),相較于 DDR4 提供了更高的帶寬、更低的功耗和更優(yōu)的性能表現(xiàn)。該芯片采用 16Gb 容量�(shè)�(jì),支� ECC �(cuò)誤校�(yàn)功能,適用于需要高可靠性和�(wěn)定性的�(yīng)用環(huán)��
DDR5 的架�(gòu)升級(jí)顯著提升了數(shù)�(jù)傳輸速率和能效比,同�(shí)其內(nèi)� Bank Group � Bank �(shù)量的增加使得并發(fā)處理能力更強(qiáng)�
�(lèi)型:DDR5 SDRAM
容量�16 Gb
電壓�1.1V
速度�7200 Mbps
封裝:BGA
I/O �(biāo)�(zhǔn):DDR5
工作溫度�-40°C ~ +85°C
ECC 支持:是
引腳�(shù)�256
K4U6E3S4AA-MGCL 采用了先�(jìn)� 1alpha nm 制程工藝制�,有效降低了功耗并提高了集成度�
其主要特性包括:支持 DDR5 的全新通道架構(gòu),單通道寬度� 64-bit 增加� 32/16-bit,減少了信號(hào)干擾并提升了�(wěn)定�;預(yù)取位�(shù)� DDR4 � 8n 提升� 16n,大幅提高內(nèi)部傳輸效率;突發(fā)�(zhǎng)度為 BL16,能夠連續(xù)傳輸更多�(shù)�(jù);內(nèi)� DBI(Data Bus Inversion)和 Write leveling 等技�(shù)�?xún)?yōu)化信�(hào)完整��
此外,DDR5 � PMIC(電源管理芯片)集成在模組上,提供了更加精準(zhǔn)和平�(wěn)的供�,�(jìn)一步增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠��
該型�(hào)芯片適合用作高性能�(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的核心�(nèi)存單�,具體應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于:
1. 企業(yè)�(jí)服務(wù)器和�(shù)�(jù)中心,提供大容量、高速率的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)與訪�(wèn)能力�
2. 高端桌面電腦及工作站,滿足圖形處�、視頻編輯等任務(wù)�(duì)�(nèi)存帶寬的苛刻需求�
3. AI 和機(jī)器學(xué)�(xí)�(lǐng)�,加速模型訓(xùn)練過(guò)程中的大�(shù)�(jù)交換�
4. 游戲硬件平臺(tái),支持流暢運(yùn)行復(fù)雜的�(shí)�(shí)渲染和物理計(jì)��
K4U6E3S4AA-MGCL 的高可靠性使其成為關(guān)鍵業(yè)�(wù)系統(tǒng)中不可或缺的選擇�
K4U6E3S4CB-MGCL
K4U6E3S4AC-MGCL