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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > K5N5666ATD-BQ12

K5N5666ATD-BQ12 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 16:54:42 查看 閱讀�23

K5N5666ATD-BQ12 是一款由三星(Samsung)生�(chǎn)的高密度 NAND 閃存芯片,采用先進的制程工藝制�。該芯片主要用于需要大容量存儲的應(yīng)用場�,例如固�(tài)硬盤(SSD�、USB 閃存�、嵌入式存儲�(shè)備以及消費類電子�(chǎn)品等。其�(shè)計旨在提供高效的寫入和讀取速度,同時保持較低的功耗水��
  這款 NAND 閃存芯片支持多種接口標準,并具備糾錯碼(ECC)功能以提高�(shù)�(jù)可靠�。它具有多平面操作能力,可以顯著提升性能,尤其在連續(xù)寫入和隨機讀取任�(wù)中表�(xiàn)突出�

參數(shù)

容量�64Gb
  接口:Toggle DDR 2.0
  工作電壓�1.8V
  封裝類型:BGA
  引腳�(shù)�169
  溫度范圍�-40°C � +85°C
  頁面�?�?6KB
  區(qū)塊大?�?12KB
  �(shù)�(jù)傳輸速率�400MT/s

特�

K5N5666ATD-BQ12 是基� MLC(多層單元)技�(shù)� NAND 閃存芯片,具備以下特點:
  1. 高密度存儲:單顆芯片即可提供 64Gb 的存儲容�,適用于需要大容量存儲的應(yīng)��
  2. 多平面操作:支持同時對多個平面進行操作,從而大幅提升數(shù)�(jù)吞吐��
  3. ECC 支持:內(nèi)置硬件糾錯功能,可有效減少數(shù)�(jù)錯誤,確保數(shù)�(jù)完整��
  4. 快速接口:采用 Toggle DDR 2.0 接口,支持高� 400MT/s 的數(shù)�(jù)傳輸速率�
  5. 低功耗設(shè)計:�(yōu)化的電路�(shè)計使其在運行過程中消耗更少的電能,延長設(shè)備電池壽��
  6. 廣泛的工作溫度范圍:能夠適應(yīng)從工�(yè)級低溫到高溫的各種環(huán)境,保證了產(chǎn)品的可靠��

�(yīng)�

K5N5666ATD-BQ12 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為 SSD 的核心存儲單�,提供高速的�(shù)�(jù)訪問能力�
  2. USB 閃存盤:用于生產(chǎn)高性能 U �,滿足用戶對快速文件傳�?shù)男枨�?br>  3. 嵌入式系�(tǒng):廣泛應(yīng)用于各類嵌入式設(shè)備中,如智能電視�>4. 消費電子:包括智能手�、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的外部存儲擴展�
  5. 工業(yè)控制:由于其寬溫特性和高可靠�,也適合于工�(yè)自動化和�(jiān)控系�(tǒng)等領(lǐng)域�

替代型號

K5P5616UHM-DG12, KLMAG4R7EM-B031, KLNAG4R2EM-B031

k5n5666atd-bq12推薦供應(yīng)� 更多>

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