K5N5666ATD-BQ12 是一款由三星(Samsung)生�(chǎn)的高密度 NAND 閃存芯片,采用先進的制程工藝制�。該芯片主要用于需要大容量存儲的應(yīng)用場�,例如固�(tài)硬盤(SSD�、USB 閃存�、嵌入式存儲�(shè)備以及消費類電子�(chǎn)品等。其�(shè)計旨在提供高效的寫入和讀取速度,同時保持較低的功耗水��
這款 NAND 閃存芯片支持多種接口標準,并具備糾錯碼(ECC)功能以提高�(shù)�(jù)可靠�。它具有多平面操作能力,可以顯著提升性能,尤其在連續(xù)寫入和隨機讀取任�(wù)中表�(xiàn)突出�
容量�64Gb
接口:Toggle DDR 2.0
工作電壓�1.8V
封裝類型:BGA
引腳�(shù)�169
溫度范圍�-40°C � +85°C
頁面�?�?6KB
區(qū)塊大?�?12KB
�(shù)�(jù)傳輸速率�400MT/s
K5N5666ATD-BQ12 是基� MLC(多層單元)技�(shù)� NAND 閃存芯片,具備以下特點:
1. 高密度存儲:單顆芯片即可提供 64Gb 的存儲容�,適用于需要大容量存儲的應(yīng)��
2. 多平面操作:支持同時對多個平面進行操作,從而大幅提升數(shù)�(jù)吞吐��
3. ECC 支持:內(nèi)置硬件糾錯功能,可有效減少數(shù)�(jù)錯誤,確保數(shù)�(jù)完整��
4. 快速接口:采用 Toggle DDR 2.0 接口,支持高� 400MT/s 的數(shù)�(jù)傳輸速率�
5. 低功耗設(shè)計:�(yōu)化的電路�(shè)計使其在運行過程中消耗更少的電能,延長設(shè)備電池壽��
6. 廣泛的工作溫度范圍:能夠適應(yīng)從工�(yè)級低溫到高溫的各種環(huán)境,保證了產(chǎn)品的可靠��
K5N5666ATD-BQ12 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為 SSD 的核心存儲單�,提供高速的�(shù)�(jù)訪問能力�
2. USB 閃存盤:用于生產(chǎn)高性能 U �,滿足用戶對快速文件傳�?shù)男枨�?br> 3. 嵌入式系�(tǒng):廣泛應(yīng)用于各類嵌入式設(shè)備中,如智能電視�>4. 消費電子:包括智能手�、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的外部存儲擴展�
5. 工業(yè)控制:由于其寬溫特性和高可靠�,也適合于工�(yè)自動化和�(jiān)控系�(tǒng)等領(lǐng)域�
K5P5616UHM-DG12, KLMAG4R7EM-B031, KLNAG4R2EM-B031