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K5N5666ATD-BQ12 發(fā)布時間 時間:2025/5/20 16:54:42 查看 閱讀:23

K5N5666ATD-BQ12 是一款由三星(Samsung)生產(chǎn)的高密度 NAND 閃存芯片,采用先進的制程工藝制造。該芯片主要用于需要大容量存儲的應(yīng)用場景,例如固態(tài)硬盤(SSD)、USB 閃存盤、嵌入式存儲設(shè)備以及消費類電子產(chǎn)品等。其設(shè)計旨在提供高效的寫入和讀取速度,同時保持較低的功耗水平。
  這款 NAND 閃存芯片支持多種接口標準,并具備糾錯碼(ECC)功能以提高數(shù)據(jù)可靠性。它具有多平面操作能力,可以顯著提升性能,尤其在連續(xù)寫入和隨機讀取任務(wù)中表現(xiàn)突出。

參數(shù)

容量:64Gb
  接口:Toggle DDR 2.0
  工作電壓:1.8V
  封裝類型:BGA
  引腳數(shù):169
  溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  頁面大�。�16KB
  區(qū)塊大�。�512KB
  數(shù)據(jù)傳輸速率:400MT/s

特性

K5N5666ATD-BQ12 是基于 MLC(多層單元)技術(shù)的 NAND 閃存芯片,具備以下特點:
  1. 高密度存儲:單顆芯片即可提供 64Gb 的存儲容量,適用于需要大容量存儲的應(yīng)用。
  2. 多平面操作:支持同時對多個平面進行操作,從而大幅提升數(shù)據(jù)吞吐量。
  3. ECC 支持:內(nèi)置硬件糾錯功能,可有效減少數(shù)據(jù)錯誤,確保數(shù)據(jù)完整性。
  4. 快速接口:采用 Toggle DDR 2.0 接口,支持高達 400MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。
  5. 低功耗設(shè)計:優(yōu)化的電路設(shè)計使其在運行過程中消耗更少的電能,延長設(shè)備電池壽命。
  6. 廣泛的工作溫度范圍:能夠適應(yīng)從工業(yè)級低溫到高溫的各種環(huán)境,保證了產(chǎn)品的可靠性。

應(yīng)用

K5N5666ATD-BQ12 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為 SSD 的核心存儲單元,提供高速的數(shù)據(jù)訪問能力。
  2. USB 閃存盤:用于生產(chǎn)高性能 U 盤,滿足用戶對快速文件傳輸?shù)男枨蟆?br>  3. 嵌入式系統(tǒng):廣泛應(yīng)用于各類嵌入式設(shè)備中,如智能電視、>4. 消費電子:包括智能手機、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的外部存儲擴展。
  5. 工業(yè)控制:由于其寬溫特性和高可靠性,也適合于工業(yè)自動化和監(jiān)控系統(tǒng)等領(lǐng)域。

替代型號

K5P5616UHM-DG12, KLMAG4R7EM-B031, KLNAG4R2EM-B031

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