K5N5666ATD-BQ12 時間：2025/5/20 16:54:42 閱讀：23

K5N5666ATD-BQ12 是一款由三星（Samsung）生產(chǎn)的高密度 NAND 閃存芯片，采用先進的制程工藝制造。該芯片主要用于需要大容量存儲的應(yīng)用場景，例如固態(tài)硬盤（SSD）、USB 閃存盤、嵌入式存儲設(shè)備以及消費類電子產(chǎn)品等。其設(shè)計旨在提供高效的寫入和讀取速度，同時保持較低的功耗水平。
　　這款 NAND 閃存芯片支持多種接口標準，并具備糾錯碼（ECC）功能以提高數(shù)據(jù)可靠性。它具有多平面操作能力，可以顯著提升性能，尤其在連續(xù)寫入和隨機讀取任務(wù)中表現(xiàn)突出。

參數(shù)

容量：64Gb
　　接口：Toggle DDR 2.0
　　工作電壓：1.8V
　　封裝類型：BGA
　　引腳數(shù)：169
　　溫度范圍：-40°C 至 +85°C
　　頁面大�。�16KB
　　區(qū)塊大�。�512KB
　　數(shù)據(jù)傳輸速率：400MT/s

特性

K5N5666ATD-BQ12 是基于 MLC（多層單元）技術(shù)的 NAND 閃存芯片，具備以下特點：
　　1. 高密度存儲：單顆芯片即可提供 64Gb 的存儲容量，適用于需要大容量存儲的應(yīng)用。
　　2. 多平面操作：支持同時對多個平面進行操作，從而大幅提升數(shù)據(jù)吞吐量。
　　3. ECC 支持：內(nèi)置硬件糾錯功能，可有效減少數(shù)據(jù)錯誤，確保數(shù)據(jù)完整性。
　　4. 快速接口：采用 Toggle DDR 2.0 接口，支持高達 400MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。
　　5. 低功耗設(shè)計：優(yōu)化的電路設(shè)計使其在運行過程中消耗更少的電能，延長設(shè)備電池壽命。
　　6. 廣泛的工作溫度范圍：能夠適應(yīng)從工業(yè)級低溫到高溫的各種環(huán)境，保證了產(chǎn)品的可靠性。

應(yīng)用

K5N5666ATD-BQ12 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 固態(tài)硬盤（SSD）：作為 SSD 的核心存儲單元，提供高速的數(shù)據(jù)訪問能力。
　　2. USB 閃存盤：用于生產(chǎn)高性能 U 盤，滿足用戶對快速文件傳輸?shù)男枨蟆?br>　　3. 嵌入式系統(tǒng)：廣泛應(yīng)用于各類嵌入式設(shè)備中，如智能電視、>4. 消費電子：包括智能手機、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的外部存儲擴展。
　　5. 工業(yè)控制：由于其寬溫特性和高可靠性，也適合于工業(yè)自動化和監(jiān)控系統(tǒng)等領(lǐng)域。