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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > K9F1208U0B-PIB0

K9F1208U0B-PIB0 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 9:17:59 查看 閱讀�20

K9F1208U0B-PIB0 是三星(Samsung)推出的一� 64Mb NAND Flash 存儲芯片,采� 3.3V 電源供電。該芯片廣泛�(yīng)用于需要高密度、非易失性存儲的場景�,如固態(tài)存儲�(shè)備、嵌入式系統(tǒng)和消�(fèi)類電子產(chǎn)�。這款芯片基于 NAND �(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),具備快速寫入和擦除能力,同時具有較高的存儲密度�
  其內(nèi)部由多個存儲單元組成,支持頁編程和塊擦除操作模�。此外,它還提供了多種數(shù)�(jù)管理功能,例如壞塊管理、ECC(糾錯碼)支持等,以確保�(shù)�(jù)的可靠性和完整��

參數(shù)

容量�64Mb
  電壓�3.3V
  接口�8-bit NAND
  封裝:TSOP-48
  工作溫度�-40°C � +85°C
  頁大?�?12 Bytes
  塊大?�?6kb
  擦寫周期�100,000 �

特�

K9F1208U0B-PIB0 具備以下主要特性:
  1. 高密度存儲:提供 64Mb 的存儲容�,適合需要大容量存儲的應(yīng)��
  2. 快速讀寫性能:NAND Flash 架構(gòu)使其在數(shù)�(jù)寫入和擦除方面表�(xiàn)出色�
  3. 塊管理和糾錯:內(nèi)置壞塊管理機(jī)制和 ECC 支持,保障數(shù)�(jù)存儲的可靠��
  4. 簡單的命令集:通過簡單的命令序列即可實(shí)�(xiàn)對芯片的操作,降低了系統(tǒng)�(shè)�(jì)�(fù)雜度�
  5. 多種工作模式:支持標(biāo)�(zhǔn)模式、待�(jī)模式和深度掉電模�,有助于�(yōu)化功��
  6. 寬溫范圍支持:適用于工業(yè)級環(huán)境,能夠在極端溫度條件下正常�(yùn)��

�(yīng)�

K9F1208U0B-PIB0 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 嵌入式系�(tǒng):用于微控制器或處理器系�(tǒng)的外部存儲擴(kuò)��
  2. 固態(tài)存儲�(shè)備:作為早期 SSD 或存儲卡的核心存儲介�(zhì)�
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:例如�(shù)碼相�(jī)、MP3 播放器等需要存儲空間的便攜式設(shè)��
  4. �(shù)�(jù)記錄�(shè)備:如工�(yè)�(shù)�(jù)記錄儀、醫(yī)療設(shè)備中的數(shù)�(jù)存儲模塊�
  5. 車載電子系統(tǒng):在汽車行業(yè)中用作導(dǎo)航系�(tǒng)或行車記錄儀的存儲組��

替代型號

K9F1208U0M, K9F1208U0A

k9f1208u0b-pib0推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)