K9GAG08UOM-PCBO 是由三星(Samsung)生產(chǎn)的一款 NAND Flash 存儲芯片,主要應(yīng)用于需要大容量存儲的設(shè)備中。該型號屬于 3-bit MLC(multi-level cell)技術(shù)的 NAND 閃存系列,采用 19nm 制程工藝制造,具有高密度、高性能和低功耗的特點(diǎn)。其容量為 64Gb(即 8GB),支持 ONFI 3.0 接口標(biāo)準(zhǔn),廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、移動設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)和其他存儲解決方案。
由于其可靠的性能和較大的存儲容量,K9GAG08UOM-PCBO 在消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域都得到了廣泛應(yīng)用。
容量:64Gb (8GB)
接口:ONFI 3.0
制程工藝:19nm
工作電壓:2.7V 至 3.6V
數(shù)據(jù)傳輸速率:最高 200MB/s
封裝類型:TSOP
工作溫度范圍:-25°C 至 +85°C
擦寫周期:最多 3000 次
引腳數(shù):48
K9GAG08UOM-PCBO 具有以下顯著特性:
1. 高密度存儲:單顆芯片即可提供 8GB 的存儲容量,適合需要大容量存儲的應(yīng)用場景。
2. 快速數(shù)據(jù)傳輸:支持 ONFI 3.0 接口規(guī)范,能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá) 200MB/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。
3. 低功耗設(shè)計(jì):采用了先進(jìn)的 19nm 制程工藝,有效降低了芯片的功耗。
4. 可靠性高:擦寫周期可達(dá) 3000 次以上,同時具備良好的數(shù)據(jù)保持能力。
5. 廣泛的工作溫度范圍:能夠在 -25°C 至 +85°C 的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,適用于各種環(huán)境條件下的應(yīng)用。
6. 易于集成:采用 TSOP 封裝形式,便于在 PCB 上進(jìn)行焊接和集成。
K9GAG08UOM-PCBO 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為核心存儲組件之一,提供大容量和高性能的數(shù)據(jù)存儲能力。
2. 移動設(shè)備:如智能手機(jī)、平板電腦等,用于存儲操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
3. 嵌入式系統(tǒng):包括網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、工控機(jī)、醫(yī)療設(shè)備等,提供可靠的非易失性存儲解決方案。
4. 數(shù)碼產(chǎn)品:如數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)等,用于存儲拍攝的照片和視頻文件。
5. 游戲設(shè)備:為游戲主機(jī)或便攜式游戲設(shè)備提供快速訪問的大容量存儲功能。
K9GAG08U1M, K9GAG08U5M