K9HCG08U1D-PIB0 是三星(Samsung)推出的一� NAND Flash 存儲(chǔ)芯片,屬于高密度存儲(chǔ)器系�。該芯片采用先�(jìn)的制程工�,具有大容量、低功耗和高性能的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、消�(fèi)類電子以及工�(yè)�(shè)備等�(lǐng)�。此型號(hào)支持串行接口通信,具備快速讀�(xiě)能力,能夠滿足現(xiàn)代設(shè)備對(duì)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的嚴(yán)苛要��
該芯片主要面向需要大容量非易失性存�(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景,例如固態(tài)硬盤(pán)(SSD�、USB 閃存�(pán)、記憶卡�。此�,它還適用于各種便攜式設(shè)�,如智能手機(jī)、平板電腦和�(shù)碼相�(jī)�
存儲(chǔ)容量�8GB
接口類型:Toggle DDR 2.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:BGA
引腳�(shù)�64
�(shù)�(jù)傳輸速率�200 MT/s
擦寫(xiě)壽命�3000 次(典型值)
工作溫度范圍�-25°C � +85°C
存儲(chǔ)溫度范圍�-40°C � +105°C
K9HCG08U1D-PIB0 芯片具有以下顯著特性:
1. 高密度存�(chǔ):提� 8GB 的存�(chǔ)容量,滿足現(xiàn)代應(yīng)用對(duì)大容量的需��
2. 快速數(shù)�(jù)傳輸:支� Toggle DDR 2.0 接口,數(shù)�(jù)傳輸速率高達(dá) 200 MT/s,確保高效的�(shù)�(jù)交換�
3. 低功耗設(shè)�(jì):采用先�(jìn)的制程技�(shù),降低芯片運(yùn)行時(shí)的功�,延�(zhǎng)電池供電�(shè)備的使用�(shí)��
4. 可靠性高:具備較高的擦寫(xiě)壽命和寬泛的工作溫度范圍,適�(yīng)多種�(fù)雜環(huán)��
5. 小型化封裝:采用 BGA 封裝形式,節(jié)省電路板空間,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
6. 易于集成:與主流控制器兼�,簡(jiǎn)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)流程�
K9HCG08U1D-PIB0 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(pán)(SSD):作為核心存儲(chǔ)單元,為 SSD 提供高速和大容量的存儲(chǔ)能力�
2. USB 閃存�(pán):用于制造高性能� USB 存儲(chǔ)�(shè)備,滿足用戶�(duì)快速文件傳�?shù)男枨�?br> 3. 記憶卡:適配各類記憶卡產(chǎn)�,如 microSD 卡和 SD 卡�
4. 嵌入式系�(tǒng):廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、物�(lián)�(wǎng)�(shè)備和車載系統(tǒng)�,提供可靠的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)功能�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:包括智能手機(jī)、平板電�、數(shù)碼相�(jī)�,增�(qiáng)�(shè)備的多媒體處理能��
K9HBG08U1M-PIBC, K9HCG08U1D-MIC0