K9HCG08U1D-PIB0 是三星(Samsung)推出的一款 NAND Flash 存儲(chǔ)芯片,屬于高密度存儲(chǔ)器系列。該芯片采用先進(jìn)的制程工藝,具有大容量、低功耗和高性能的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、消費(fèi)類電子以及工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。此型號(hào)支持串行接口通信,具備快速讀寫(xiě)能力,能夠滿足現(xiàn)代設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的嚴(yán)苛要求。
該芯片主要面向需要大容量非易失性存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景,例如固態(tài)硬盤(pán)(SSD)、USB 閃存盤(pán)、記憶卡等。此外,它還適用于各種便攜式設(shè)備,如智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)碼相機(jī)。
存儲(chǔ)容量:8GB
接口類型:Toggle DDR 2.0
工作電壓:1.8V
封裝形式:BGA
引腳數(shù):64
數(shù)據(jù)傳輸速率:200 MT/s
擦寫(xiě)壽命:3000 次(典型值)
工作溫度范圍:-25°C 至 +85°C
存儲(chǔ)溫度范圍:-40°C 至 +105°C
K9HCG08U1D-PIB0 芯片具有以下顯著特性:
1. 高密度存儲(chǔ):提供 8GB 的存儲(chǔ)容量,滿足現(xiàn)代應(yīng)用對(duì)大容量的需求。
2. 快速數(shù)據(jù)傳輸:支持 Toggle DDR 2.0 接口,數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá) 200 MT/s,確保高效的數(shù)據(jù)交換。
3. 低功耗設(shè)計(jì):采用先進(jìn)的制程技術(shù),降低芯片運(yùn)行時(shí)的功耗,延長(zhǎng)電池供電設(shè)備的使用時(shí)間。
4. 可靠性高:具備較高的擦寫(xiě)壽命和寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)多種復(fù)雜環(huán)境。
5. 小型化封裝:采用 BGA 封裝形式,節(jié)省電路板空間,適合緊湊型設(shè)計(jì)。
6. 易于集成:與主流控制器兼容,簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程。
K9HCG08U1D-PIB0 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(pán)(SSD):作為核心存儲(chǔ)單元,為 SSD 提供高速和大容量的存儲(chǔ)能力。
2. USB 閃存盤(pán):用于制造高性能的 USB 存儲(chǔ)設(shè)備,滿足用戶對(duì)快速文件傳輸?shù)男枨蟆?br> 3. 記憶卡:適配各類記憶卡產(chǎn)品,如 microSD 卡和 SD 卡。
4. 嵌入式系統(tǒng):廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和車載系統(tǒng)中,提供可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:包括智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)等,增強(qiáng)設(shè)備的多媒體處理能力。
K9HBG08U1M-PIBC, K9HCG08U1D-MIC0