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K9K8G08U0D-SIB0 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/15 15:47:47 查看 閱讀：19

K9K8G08U0D-SIB0 是三星（Samsung）生產(chǎn)的一款NAND Flash存儲(chǔ)芯片，采用MLC（Multi-Level Cell）技術(shù)。該芯片具有高容量、高速度和低功耗的特點(diǎn)，適用于需要大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景。其封裝形式為BGA（球柵陣列封裝），能夠提供出色的電氣性能和可靠性。
　　這款芯片廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、嵌入式系統(tǒng)、固態(tài)硬盤（SSD）等領(lǐng)域，滿足現(xiàn)代設(shè)備對(duì)高效數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求。

參數(shù)

存儲(chǔ)容量：8GB
　　存儲(chǔ)類型：NAND Flash
　　接口類型：Toggle Mode 2.0
　　工作電壓：1.8V
　　封裝形式：BGA
　　引腳數(shù)：169
　　數(shù)據(jù)傳輸速率：最高400MB/s
　　擦寫壽命：3000次（典型值）
　　工作溫度范圍：-25°C至85°C

特性

K9K8G08U0D-SIB0 使用了先進(jìn)的MLC NAND Flash技術(shù)，每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度。它支持Toggle Mode 2.0接口，提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，適合高性能存儲(chǔ)應(yīng)用。
　　該芯片具備較低的工作電壓，有助于減少功耗，延長(zhǎng)設(shè)備的電池續(xù)航時(shí)間。同時(shí)，它還具有較強(qiáng)的可靠性和耐用性，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。
　　此外，BGA封裝形式使得芯片在信號(hào)完整性、熱管理和安裝密度方面表現(xiàn)出色，非常適合現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化和高性能需求。

應(yīng)用

K9K8G08U0D-SIB0 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 固態(tài)硬盤（SSD）：
　　作為主要存儲(chǔ)介質(zhì)，提供大容量和快速的數(shù)據(jù)存取能力。
　　2. 嵌入式系統(tǒng)：
　　用于工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等需要可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)合。
　　3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品：
　　如智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)等，滿足多媒體文件存儲(chǔ)需求。
　　4. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備：
　　如路由器、交換機(jī)等，提供固件和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。

替代型號(hào)

K9KCG08U1E-SCK0
　　K9K8G08U1M-SCK0
　　K9K8G08U0D-SIY0

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