K9K8G08U0D-SIB0 是三星(Samsung)生產(chǎn)的一款NAND Flash存儲(chǔ)芯片,采用MLC(Multi-Level Cell)技術(shù)。該芯片具有高容量、高速度和低功耗的特點(diǎn),適用于需要大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景。其封裝形式為BGA(球柵陣列封裝),能夠提供出色的電氣性能和可靠性。
這款芯片廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、嵌入式系統(tǒng)、固態(tài)硬盤(SSD)等領(lǐng)域,滿足現(xiàn)代設(shè)備對(duì)高效數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求。
存儲(chǔ)容量:8GB
存儲(chǔ)類型:NAND Flash
接口類型:Toggle Mode 2.0
工作電壓:1.8V
封裝形式:BGA
引腳數(shù):169
數(shù)據(jù)傳輸速率:最高400MB/s
擦寫壽命:3000次(典型值)
工作溫度范圍:-25°C至85°C
K9K8G08U0D-SIB0 使用了先進(jìn)的MLC NAND Flash技術(shù),每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù),從而實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度。它支持Toggle Mode 2.0接口,提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度,適合高性能存儲(chǔ)應(yīng)用。
該芯片具備較低的工作電壓,有助于減少功耗,延長(zhǎng)設(shè)備的電池續(xù)航時(shí)間。同時(shí),它還具有較強(qiáng)的可靠性和耐用性,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。
此外,BGA封裝形式使得芯片在信號(hào)完整性、熱管理和安裝密度方面表現(xiàn)出色,非常適合現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化和高性能需求。
K9K8G08U0D-SIB0 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD):
作為主要存儲(chǔ)介質(zhì),提供大容量和快速的數(shù)據(jù)存取能力。
2. 嵌入式系統(tǒng):
用于工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等需要可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)合。
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:
如智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)等,滿足多媒體文件存儲(chǔ)需求。
4. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備:
如路由器、交換機(jī)等,提供固件和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。
K9KCG08U1E-SCK0
K9K8G08U1M-SCK0
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