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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > K9K8G08U0E-SIB0

K9K8G08U0E-SIB0 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 11:15:00 查看 閱讀�18

K9K8G08U0E-SIB0 是三星(Samsung)生�(chǎn)的一款NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技�(shù)。這款芯片主要�(yīng)用于需要大容量存儲(chǔ)的設(shè)備中,例如固�(tài)硬盤(SSD�、嵌入式系統(tǒng)、工�(yè)�(jí)存儲(chǔ)卡等。該型號(hào)具備高可靠�、快速數(shù)�(jù)傳輸速度和低功耗的特點(diǎn),廣泛用于對性能和穩(wěn)定性要求較高的場合�

參數(shù)

存儲(chǔ)容量�8GB
  接口類型:Toggle DDR 2.0
  工作電壓�1.8V
  封裝形式:BGA
  �(shù)�(jù)傳輸速率:最�400MB/s
  頁大?�?6KB
  塊大小:512KB
  擦寫壽命�3000�
  工作溫度�-25°C � +85°C

特�

K9K8G08U0E-SIB0 采用了先�(jìn)的制程工�,確保了其在高密度存�(chǔ)下的�(wěn)定性和可靠��
  它支持Toggle DDR 2.0 接口�(xié)�,能�?qū)崿F(xiàn)更快的數(shù)�(jù)傳輸速度,滿足現(xiàn)代設(shè)備對高性能存儲(chǔ)的需��
  此外,該芯片具有較低的工作電壓,有助于減少功�,延長設(shè)備的�(xù)航時(shí)��
  其多層單元(MLC)技�(shù)能夠在每�(gè)存儲(chǔ)單元中保存兩位數(shù)�(jù),從而有效提升存�(chǔ)密度并降低成��
  適用于極端環(huán)境下的操作,工作溫度范圍寬廣,能夠適�(yīng)從低溫到高溫的各種應(yīng)用場��

�(yīng)�

K9K8G08U0E-SIB0 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD�,作為主存儲(chǔ)介質(zhì)提供高效的數(shù)�(jù)讀寫能��
  2. 嵌入式系�(tǒng),如工業(yè)控制�(shè)備、網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備等,用于數(shù)�(jù)記錄和程序存�(chǔ)�
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品,如高清攝像機(jī)、無人機(jī)等需要大容量存儲(chǔ)的設(shè)��
  4. 工業(yè)�(jí)存儲(chǔ)�,如CF�、SD卡等,提供可靠的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)解決方案�
  5. 車載電子系統(tǒng),為�(dǎo)�、娛樂等功能模塊提供存儲(chǔ)支持�

替代型號(hào)

K9K8G08U1M-SIB0
  K9K8G08U0M-SIB0

k9k8g08u0e-sib0推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)