時(shí)間：2025/5/23 11:15:00
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K9K8G08U0E-SIB0 是三星（Samsung）生產(chǎn)的一款NAND閃存芯片，采用MLC（多層單元）技術(shù)。這款芯片主要應(yīng)用于需要大容量存儲(chǔ)的設(shè)備中，例如固態(tài)硬盤（SSD）、嵌入式系統(tǒng)、工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)卡等。該型號(hào)具備高可靠性、快速數(shù)據(jù)傳輸速度和低功耗的特點(diǎn)，廣泛用于對性能和穩(wěn)定性要求較高的場合。
存儲(chǔ)容量：8GB
接口類型：Toggle DDR 2.0
工作電壓：1.8V
封裝形式：BGA
數(shù)據(jù)傳輸速率：最高400MB/s
頁大�。�16KB
塊大小：512KB
擦寫壽命：3000次
工作溫度：-25°C 至 +85°C
K9K8G08U0E-SIB0 采用了先進(jìn)的制程工藝，確保了其在高密度存儲(chǔ)下的穩(wěn)定性和可靠性。
它支持Toggle DDR 2.0 接口協(xié)議，能夠?qū)崿F(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，滿足現(xiàn)代設(shè)備對高性能存儲(chǔ)的需求。
此外，該芯片具有較低的工作電壓，有助于減少功耗，延長設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。
其多層單元（MLC）技術(shù)能夠在每個(gè)存儲(chǔ)單元中保存兩位數(shù)據(jù)，從而有效提升存儲(chǔ)密度并降低成本。
適用于極端環(huán)境下的操作，工作溫度范圍寬廣，能夠適應(yīng)從低溫到高溫的各種應(yīng)用場景。
K9K8G08U0E-SIB0 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 固態(tài)硬盤（SSD），作為主存儲(chǔ)介質(zhì)提供高效的數(shù)據(jù)讀寫能力。
2. 嵌入式系統(tǒng)，如工業(yè)控制設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等，用于數(shù)據(jù)記錄和程序存儲(chǔ)。
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品，如高清攝像機(jī)、無人機(jī)等需要大容量存儲(chǔ)的設(shè)備。
4. 工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)卡，如CF卡、SD卡等，提供可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。
5. 車載電子系統(tǒng)，為導(dǎo)航、娛樂等功能模塊提供存儲(chǔ)支持。
K9K8G08U1M-SIB0
K9K8G08U0M-SIB0
