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K9K8G08U0M-PIB0 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/30 10:50:18 查看 閱讀：9

K9K8G08U0M-PIB0 是一款由三星（Samsung）生產(chǎn)的 NAND Flash 存儲(chǔ)芯片，采用 3D TLC 技術(shù)，具有高密度和高性能的特點(diǎn)。該芯片主要用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景，例如固態(tài)硬盤(pán)（SSD）、嵌入式設(shè)備、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品以及工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)解決方案。
　　這款芯片的容量為 128Gb（即 16GB），支持 ONFI（Open NAND Flash Interface）標(biāo)準(zhǔn)，確保與主機(jī)系統(tǒng)的兼容性和高效的數(shù)據(jù)傳輸能力。

參數(shù)

容量：128Gb (16GB)
　　接口：ONFI 3.1
　　電壓：2.7V ~ 3.6V
　　工作溫度：-40°C ~ +85°C
　　封裝形式：TSOP-48
　　數(shù)據(jù)傳輸速率：最高可達(dá) 400MB/s
　　I/O 接口：8-bit
　　擦寫(xiě)次數(shù)：3000 次 (典型值)
　　數(shù)據(jù)保持時(shí)間：10 年

特性

K9K8G08U0M-PIB0 具備以下主要特性：
　　1. 高密度存儲(chǔ)：采用先進(jìn)的 3D TLC 技術(shù)，提供更大的存儲(chǔ)容量，同時(shí)減少芯片尺寸。
　　2. 高性能：支持 ONFI 3.1 標(biāo)準(zhǔn)，能夠?qū)崿F(xiàn)更快的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速度。
　　3. 穩(wěn)定性：具備較高的擦寫(xiě)次數(shù)和數(shù)據(jù)保持時(shí)間，適用于需要長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的設(shè)備。
　　4. 廣泛的工作溫度范圍：從 -40°C 到 +85°C 的工作溫度范圍，使其適合在各種環(huán)境條件下使用。
　　5. 低功耗設(shè)計(jì)：優(yōu)化的電源管理方案，降低整體能耗，延長(zhǎng)電池壽命。
　　6. 可靠性：通過(guò)多重 ECC（Error Correction Code）校驗(yàn)機(jī)制，提高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性。

應(yīng)用

K9K8G08U0M-PIB0 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 固態(tài)硬盤(pán)（SSD）：作為核心存儲(chǔ)單元，用于消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí) SSD 中。
　　2. 嵌入式系統(tǒng)：如車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng)、智能家居設(shè)備等，需要可靠存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　3. 工業(yè)控制：在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中，提供大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。
　　4. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品：包括數(shù)碼相機(jī)、平板電腦和其他需要大容量存儲(chǔ)的設(shè)備。
　　5. 數(shù)據(jù)記錄器：用于保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)的日志記錄設(shè)備。

替代型號(hào)

K9K8G08U1C-PIB0, K9K8G08U0M-SCK0

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