K9WAG08U1D-SIBO 是一款由三星(Samsung)生產(chǎn)的NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技術(shù),廣泛應用于存儲設(shè)備中。該芯片提供高密度、低功耗的數(shù)據(jù)存儲解決方案,適用于需要大容量存儲的應用場景,如固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存盤以及嵌入式存儲系統(tǒng)。
該型號屬于K9WA系列,支持ONFI(Open NAND Flash Interface)標準協(xié)議,具備較快的讀寫速度和較高的可靠性。
容量:8GB
接口類型:ONFI 2.3
工作電壓:2.7V ~ 3.6V
封裝形式:TSOP
數(shù)據(jù)傳輸速率:最高133MT/s
擦寫壽命:約3000次
工作溫度:-40°C ~ +85°C
引腳數(shù):48
K9WAG08U1D-SIBO 具有以下主要特性:
1. 高密度存儲:單顆芯片提供8GB容量,適合對空間要求嚴格的環(huán)境。
2. 低功耗設(shè)計:優(yōu)化了芯片的工作電壓范圍,能夠有效降低功耗。
3. 快速性能:支持ONFI 2.3標準,提供了高達133MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。
4. 可靠性:采用MLC技術(shù),具備較長的使用壽命和較高的數(shù)據(jù)完整性。
5. 廣泛的溫度范圍:能夠在-40°C至+85°C之間穩(wěn)定工作,適應多種環(huán)境條件。
6. 易于集成:TSOP封裝形式便于在各種電路板上進行焊接和安裝。
K9WAG08U1D-SIBO 主要應用于以下領(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD):
提供高容量和高性能的存儲功能,是消費級和工業(yè)級SSD的理想選擇。
2. USB閃存盤:
用于制造大容量U盤,滿足用戶對便攜存儲的需求。
3. 嵌入式存儲系統(tǒng):
應用于工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域的嵌入式設(shè)備中,提供可靠的存儲解決方案。
4. 數(shù)字消費電子產(chǎn)品:
如數(shù)碼相機、攝像機、媒體播放器等需要大容量存儲的設(shè)備。
K9WBG08U5M-SCK0, K9WCG08U1M