K9WAG08U1F-SIBO 是一款由三星(Samsung)生產的NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技�。該芯片廣泛應用于需要大容量數據存儲的設備中,如固態(tài)硬盤(SSD�、USB閃存�、記憶卡等。它支持高速數據傳�,并具備高可靠性和耐用�,滿足現代電子設備對存儲性能的需��
容量�8GB
接口:Toggle DDR 2.0
電壓�1.8V
封裝:BGA
工作溫度�-40°C � +85°C
頁大?�?6KB
塊大?�?12KB
I/O性能:最�200MT/s
K9WAG08U1F-SIBO 使用MLC NAND閃存技術,每個存儲單元可保存2位數�,相比SLC NAND提供了更高的存儲密度和更低的成本�
該芯片支持Toggle DDR 2.0接口�(xié)�,能夠實現更高效的讀寫速度,適合高性能存儲應用�
�1.8V的工作電壓設計有助于降低功�,延長設備電池壽��
此外,該芯片具有強大的糾錯功能和數據保護機制,保證了長時間使用下的數據完整��
通過�(yōu)化的封裝方式和緊湊的設計,這款芯片非常適合在空間受限的應用場景中使用�
K9WAG08U1F-SIBO 主要應用于消費類電子產品中的存儲模塊,例如固�(tài)硬盤(SSD)、USB閃存�、SD卡、eMMC模組��
此外,它還適用于工業(yè)控制設備、網絡通信設備以及嵌入式系�(tǒng)的數據存儲解決方案�
由于其高可靠性和寬溫范圍的支�,這款芯片也適合在惡劣�(huán)境下運行的設備,例如汽車電子系統(tǒng)和戶外監(jiān)控設��
K9WBG08U1M-SIBO
K9WCG08U5M-SICB
K9WCG08U1M-SICB