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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > KDZTFTR18B

KDZTFTR18B 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 10:46:07 查看 閱讀�11

KDZTFTR18B是一種高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、逆變器等高效率電力轉(zhuǎn)換場�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠在高頻工作條件下保持高效和�(wěn)�。KDZTFTR18B適用于多種工�(yè)和消費類電子�(yīng)�,提供出色的熱性能和可靠��

參數(shù)

型號:KDZTFTR18B
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�18A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  總功�(Ptot)�140W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-247

特�

KDZTFTR18B是一款專為高功率密度�(shè)計優(yōu)化的MOSFET器件,其主要特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,減少磁性元件體�,�(jìn)一步提升功率密��
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了在短路或異常情況下的魯棒��
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管,能夠有效降低開關(guān)噪聲并提高EMI性能�
  5. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下也能保持較低的導(dǎo)通電阻漂��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保要��

�(yīng)�

KDZTFTR18B廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),包括AC-DC適配器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)動電�,例如無刷直流電�(jī)(BLDC)控制�
  3. 電動汽車(EV)和混合動力汽�(HEV)中的逆變器模��
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制單��
  5. 太陽能微型逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
  6. 高頻共振變換器及諧振電路�
  7. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�

替代型號

IRFZ44N, FQP18N06, STP18NF06

kdztftr18b推薦供應(yīng)� 更多>

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