KFP2011P6是一種高�、高功率的場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,從而提升整體效率并減少能量損��
這款MOSFET為N溝道增強型器件,通常用于高壓�(cè)開關(guān)�(yīng)�。其封裝形式為TO-247,具備良好的散熱性能,適合在高功率環(huán)境下工作�
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷�95nC
總功耗:360W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 高擊穿電�,適用于高壓�(huán)境下的開�(guān)�(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計,有效降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度,能夠支持高頻工作條��
4. 強大的雪崩耐量能力,確保在異常條件下仍能保持穩(wěn)定運��
5. TO-247封裝提供�(yōu)秀的熱管理和機械穩(wěn)定�,適合高功率�(yīng)用場��
6. 超寬的工作溫度范�,適�(yīng)各種極端�(huán)��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)元件�
2. 電機�(qū)動電路中的功率級開關(guān)�
3. 逆變器和太陽能逆變器的核心功率器件�
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模��
5. 各類高壓電力電子�(shè)備中的開�(guān)組件�
KFP2011P5, IRFP260N, STP20N120KP