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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > KHN40281ASRD1D-2

KHN40281ASRD1D-2 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 19:17:33 查看 閱讀�18

KHN40281ASRD1D-2 是一款高性能的功� MOSFET,采用先進的半導體制造工藝設(shè)�。該器件具有低導通電阻和快速開�(guān)特性,適用于高效率電源�(zhuǎn)換應(yīng)�。其�(yōu)化的封裝�(shè)計有助于提高散熱性能,并支持高電流負載操��
  這款 MOSFET 廣泛用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景�,能夠有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)可靠性�

參數(shù)

型號:KHN40281ASRD1D-2
  類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電�(V_DS)�60V
  最大柵源電�(V_GS):�20V
  連續(xù)漏極電流(I_D)�35A
  導通電�(R_DS(on))�1.2mΩ(典型值,在V_GS=10V時)
  總柵極電�(Q_g)�95nC
  開關(guān)時間:開通延遲時�(t_d(on))�17ns,關(guān)斷傳播時�(t_d(off))�35ns
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3L

特�

KHN40281ASRD1D-2 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導通電� (R_DS(on)),有助于減少傳導損耗并提升整體效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,使得它非常適合高頻開關(guān)�(yīng)��
  3. 高額定電流能�,可以承受高� 35A 的連續(xù)漏極電流�
  4. 寬工作溫度范� (-55°C � +175°C),確保在極端�(huán)境下的可靠運��
  5. 先進的熱管理設(shè)計,通過�(yōu)化的封裝�(jié)�(gòu)來改善散熱性能�
  6. �(wěn)定的電氣參數(shù)和出色的耐用�,適合長時間�(wěn)定運行的工業(yè)�(yīng)��

�(yīng)�

KHN40281ASRD1D-2 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
  2. 電機控制和驅(qū)動電路中的功率輸出級�
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切��
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電路徑控制�
  6. 高效電子負載模擬器及測試�(shè)備中的核心功率元��
  由于其優(yōu)異的性能,KHN40281ASRD1D-2 在需要高效功率轉(zhuǎn)換和精確電流控制的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

替代型號

KHN40281ASRD1D-2G, IRF3710, FDP5500

khn40281asrd1d-2推薦供應(yīng)� 更多>

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