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KIA40N20AP 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 9:17:24 查看 閱讀�24

KIA40N20AP是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用TO-252封裝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合需要高效能和高可靠性的電路�(shè)�(jì)�
  這種MOSFET的額定電壓為200V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)其最大連續(xù)漏極電流可達(dá)40A(在特定條件下)。通過(guò)�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì)和封裝技�(shù),KIA40N20AP能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗和�(yōu)異的熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:0.05Ω
  總柵極電荷:130nC
  輸入電容�1600pF
  輸出電容�470pF
  反向傳輸電容�150pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

1. 高耐壓能力�200V的最大漏源電壓使其適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:僅為0.05Ω,在大電流條件下能夠降低�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:較小的總柵極電荷和寄生電容有助于實(shí)�(xiàn)更快的開(kāi)�(guān)速度,從而減少開(kāi)�(guān)損耗�
  4. �(yōu)秀的熱性能:采用TO-252封裝,具備良好的散熱能力,能夠有效降低器件的工作溫度�
  5. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試和篩選,確保在惡劣�(huán)境下仍能�(wěn)定運(yùn)��
  6. �(huán)保材料:符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):
   - AC-DC�(zhuǎn)換器
   - DC-DC�(zhuǎn)換器
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   - �(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)控�
   - 步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  3. 功率因數(shù)校正(PFC)電�
  4. �(fù)載切換和保護(hù)電路
  5. 充電器和適配�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP40NF20
  FDP5800

kia40n20ap推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)