KIA40N20AP是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用TO-252封裝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合需要高效能和高可靠性的電路�(shè)�(jì)�
這種MOSFET的額定電壓為200V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)其最大連續(xù)漏極電流可達(dá)40A(在特定條件下)。通過(guò)�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì)和封裝技�(shù),KIA40N20AP能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗和�(yōu)異的熱性能�
最大漏源電壓:200V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:0.05Ω
總柵極電荷:130nC
輸入電容�1600pF
輸出電容�470pF
反向傳輸電容�150pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
1. 高耐壓能力�200V的最大漏源電壓使其適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:僅為0.05Ω,在大電流條件下能夠降低�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:較小的總柵極電荷和寄生電容有助于實(shí)�(xiàn)更快的開(kāi)�(guān)速度,從而減少開(kāi)�(guān)損耗�
4. �(yōu)秀的熱性能:采用TO-252封裝,具備良好的散熱能力,能夠有效降低器件的工作溫度�
5. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試和篩選,確保在惡劣�(huán)境下仍能�(wěn)定運(yùn)��
6. �(huán)保材料:符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):
- AC-DC�(zhuǎn)換器
- DC-DC�(zhuǎn)換器
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
- �(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)控�
- 步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)
3. 功率因數(shù)校正(PFC)電�
4. �(fù)載切換和保護(hù)電路
5. 充電器和適配�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模�
IRFZ44N
STP40NF20
FDP5800