KJ2030N2是一種高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于功率轉(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,能夠提供較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度�
其典型應(yīng)用場(chǎng)景包括開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他需要高效能功率管理的電子設(shè)備中。KJ2030N2以其高效�、低損耗以及良好的熱性能而著稱,適用于對(duì)功耗敏感的�(shè)�(jì)�
型號(hào):KJ2030N2
類型:N-Channel MOSFET
漏源極擊穿電�(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
柵極電荷(Qg)�18nC
總電�(Ciss)�2550pF
工作溫度范圍(Tj)�-55� to +175�
封裝形式:TO-220
KJ2030N2具有較低的導(dǎo)通電阻Rds(on),僅�4mΩ,這使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,減少了功率損�。此�,它具備較快的開(kāi)�(guān)速度,柵極電荷Qg�18nC,確保了高頻操作下的高效��
該器件的漏源極擊穿電壓為60V,可承受較高的瞬�(tài)電壓,從而增�(qiáng)了其在復(fù)雜環(huán)境中的可靠�。同�(shí),它的連續(xù)漏極電流高達(dá)30A,非常適合大功率�(yīng)用。KJ2030N2的工作溫度范圍寬�,從-55℃到+175�,使其能夠在極端條件下穩(wěn)定運(yùn)行�
另外,KJ2030N2采用�(biāo)�(zhǔn)的TO-220封裝,便于安裝和散熱�(shè)�(jì),有助于提升整體系統(tǒng)的散熱性能�
KJ2030N2廣泛�(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換和控制�(chǎng)�,如�(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(jí)�(kāi)�(guān),DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流,以及電�(jī)�(qū)�(dòng)中的橋式電路元件�
它還可用于電池保�(hù)電路、負(fù)載開(kāi)�(guān)、逆變器等�(chǎng)�,特別是在需要高效能和高可靠性的工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中�(fā)揮重要作�。此�,在電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)和太�(yáng)能逆變器等�(lǐng)域,KJ2030N2也因其卓越的性能而被采用�
IRFZ44N
STP30NF60
FDP5570