KMN5W000ZM-B207 是一款高性能的 MOSFET 功率器件,專為高效率功率轉(zhuǎn)換應用而設(shè)計。該型號采用先進的制程技術(shù)制造,具有低導通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)性能。其主要應用于電源管理、電機驅(qū)動以及消費類電子設(shè)備等領(lǐng)域。
型號:KMN5W000ZM-B207
類型:N-Channel MOSFET
工作電壓(Vds):50V
連續(xù)漏極電流(Id):120A
導通電阻(Rds(on)):0.5mΩ
柵極電荷(Qg):45nC
結(jié)溫范圍(Tj):-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247
KMN5W000ZM-B207 的主要特點是其超低的導通電阻,僅為 0.5mΩ,這使得它在大電流應用中表現(xiàn)優(yōu)異,同時降低了功率損耗。
此外,該器件還具備出色的熱穩(wěn)定性,在極端溫度條件下依然可以保持穩(wěn)定的性能。
快速開關(guān)能力使其非常適合高頻開關(guān)電源應用,同時內(nèi)置的 ESD 保護功能增強了器件的可靠性。
通過優(yōu)化的芯片設(shè)計,該型號還大幅減少了寄生電感的影響,從而提升了整體系統(tǒng)的效率。
KMN5W000ZM-B207 廣泛用于各種高功率密度的場景中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- 開關(guān)電源(SMPS)
- 電機驅(qū)動器
- 太陽能逆變器
- 工業(yè)自動化設(shè)備
- 消費類電子產(chǎn)品中的負載切換
- 數(shù)據(jù)中心及通信電源解決方案
KMN5W000ZM-B208
KMN5W000ZM-B210
IRF3205
FDP55N06L