KQ0603TD10NH是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)芯片,主要應(yīng)用于電源管理、開(kāi)�(guān)電路和電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的生�(chǎn)工藝,具備低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度以及出色的熱性能,適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)合�
該芯片屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其封裝形式通常為T(mén)O-220或類(lèi)似的�(biāo)�(zhǔn)封裝�(lèi)型,能夠�(mǎn)足工�(yè)�(jí)及消�(fèi)�(jí)電子�(chǎn)品的�(yán)格要��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�35nC
輸入電容�1250pF
最大功耗:90W
工作溫度范圍�-55� to 175�
KQ0603TD10NH具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源和逆變器設(shè)�(jì)�
3. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定性能�
4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高了器件的抗靜電能力,增�(qiáng)了可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(zhǎng)期使用�
KQ0603TD10NH廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主開(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中用于降壓或升壓操作�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換�
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)組��
IRF540N
STP10NK60Z
FDP5800