KR355QD72J224KH01K是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具備出色的開關(guān)特性和導(dǎo)通性能,適用于各類電源管理場(chǎng)景。
該器件主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)合,能夠顯著提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。其封裝形式緊湊,有助于簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并節(jié)省PCB空間。
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:12A
柵極電荷:35nC
導(dǎo)通電阻:0.18Ω
工作結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
封裝形式:TO-220
KR355QD72J224KH01K具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,可承受高達(dá)650V的漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 超低導(dǎo)通電阻,僅為0.18Ω,在大電流條件下能有效降低功耗。
3. 快速開關(guān)速度,得益于較小的柵極電荷(35nC),能夠?qū)崿F(xiàn)高效的開關(guān)操作。
4. 廣泛的工作溫度范圍,從-55℃到+175℃,適應(yīng)多種極端環(huán)境條件。
5. 封裝堅(jiān)固可靠,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220封裝形式,便于散熱和安裝。
這些特性使該器件成為需要高效能量轉(zhuǎn)換和低熱損耗應(yīng)用的理想選擇。
該芯片適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. 工業(yè)控制領(lǐng)域中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器模塊。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
4. 家用電器及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理和功率控制。
KR355QD72J224KH01K憑借其優(yōu)異的性能和可靠性,滿足了現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效率和小型化的需求。
IRFZ44N
FDP17N10
STP12NM65C3