KR355QD72J274KH01K 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
這款芯片具有出色的熱性能和電氣性能,能夠在苛刻的工作環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。其封裝形式經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì),便于散熱和安裝,適合在工業(yè)控制、消費(fèi)電子及汽車電子領(lǐng)域中使用。
類型:MOSFET
極性:N-Channel
漏源電壓(Vds):700V
連續(xù)漏電流(Id):35A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.045Ω
柵極電荷(Qg):95nC
功耗(Ptot):300W
工作溫度范圍(Top):-55℃ to 175℃
封裝形式:TO-247
J274KH01K 具有以下顯著特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 可以減少功率損耗,提高整體效率。
2. 高額定電壓 (Vds) 和大電流容量 (Id) 使其適用于多種高功率應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 快速開關(guān)能力降低了開關(guān)損耗,并且提升了高頻工作的表現(xiàn)。
4. 熱穩(wěn)定性好,可以適應(yīng)寬泛的工作溫度范圍。
5. 內(nèi)置保護(hù)機(jī)制,如過(guò)溫保護(hù)和過(guò)流保護(hù),進(jìn)一步增強(qiáng)了器件的可靠性。
6. 封裝形式堅(jiān)固耐用,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和安裝。
這些特性使得 KR355QD72J274KH01K 成為眾多高要求應(yīng)用的理想選擇。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下幾個(gè)領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS),例如適配器、充電器等。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng),包括直流無(wú)刷電機(jī) (BLDC) 和步進(jìn)電機(jī)。
3. 逆變器系統(tǒng),用于太陽(yáng)能發(fā)電和其他可再生能源轉(zhuǎn)換。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和電源管理單元。
KR355QD72J274KH01K 的強(qiáng)大性能和多功能性,使其成為這些應(yīng)用中的核心組件之一。
IRFP460,
STP30NF75,
FDP5800,
IXYS7N75Q