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KRL1220E-M-R010-D-T5 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/28 16:28:43 查看 閱讀:31

KRL1220E-M-R010-D-T5 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高效率和出色的熱性能。其封裝形式為 TO-263,適合表面貼裝技術(shù)(SMT),能夠有效減少體積并提高可靠性。
  該型號(hào)特別針對(duì)需要高效能和高可靠性的工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì),適用于各種大電流負(fù)載條件下的開關(guān)和調(diào)節(jié)功能。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流:20A
  導(dǎo)通電阻:1.0mΩ
  柵極電荷:45nC
  總功耗:180W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-263

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))可顯著降低功率損耗,提升整體系統(tǒng)效率。
  2. 高電流承載能力,支持高達(dá)20A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率應(yīng)用需求。
  3. 優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì),有助于實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。
  4. 支持寬廣的工作溫度范圍,從-55℃到+175℃,適應(yīng)惡劣環(huán)境下的使用。
  5. 表面貼裝封裝(TO-263)簡(jiǎn)化了安裝過(guò)程,并提升了產(chǎn)品的機(jī)械穩(wěn)定性。
  6. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路,增強(qiáng)了器件的抗靜電能力,提高了系統(tǒng)的可靠性。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主功率開關(guān)。
  2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路中的功率級(jí)元件。
  3. DC/DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流管。
  4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率開關(guān)。
  5. 電動(dòng)工具及家電設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的高邊或低邊開關(guān)應(yīng)用。

替代型號(hào)

KRL1220E-M-R010-D-T3
  KRL1220E-M-R010-D-SMD
  IRFZ44N
  FDP5500

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