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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > KTC2020D-Y-RTF/P

KTC2020D-Y-RTF/P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 11:52:47 查看 閱讀�21

KTC2020D-Y-RTF/P 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率控制的場(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著降低能耗并提高系統(tǒng)效率�
  這款器件在設(shè)�(jì)上注重散熱性能,適合高電流和高頻率�(yīng)用環(huán)�。其封裝形式為表面貼裝型,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和安��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  電壓等級(jí)�60V
  最大漏極電流(ID):20A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  柵極電荷(Qg):37nC
  輸入電容(Ciss):1820pF
  反向恢復(fù)�(shí)間(trr):35ns
  工作溫度范圍�-55� to +150�
  封裝形式:TO-252(DPAK)

特�

KTC2020D-Y-RTF/P 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(�4.5mΩ),這使得它在大電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色,并且發(fā)熱量較小。此�,該芯片還具備快速的�(kāi)�(guān)速度,反向恢�(fù)�(shí)間僅�35ns,可以有效減少開(kāi)�(guān)損��
  它的柵極�(qū)�(dòng)要求�(jiǎn)�,適用于各種類型的驅(qū)�(dòng)電路,同�(shí)�(nèi)置了�(guò)溫保�(hù)功能,增�(qiáng)了可靠�。在高頻�(yīng)用中,其低柵極電荷特性也能夠降低�(qū)�(dòng)功��
  KTC2020D-Y-RTF/P 還具有良好的靜電防護(hù)能力,能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�。總的來(lái)�(shuō),這款功率MOSFET憑借出色的電氣性能和熱性能,成為許多高效率電力電子�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

KTC2020D-Y-RTF/P 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):包括AC-DC適配�、充電器��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于汽車電子、工�(yè)�(shè)備中的電壓調(diào)節(jié)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):如�(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)控制器�
  4. 逆變器:太陽(yáng)能逆變器和其他能源�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS):保護(hù)電路和充放電控制�
  由于其高效的特性和寬泛的工作溫度范�,這款芯片非常適合在高溫或高負(fù)載條件下使用�

替代型號(hào)

KTC2020D-Y-RTP/P, IRFZ44N, FDP5580

ktc2020d-y-rtf/p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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