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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > L1SS184LT1G

L1SS184LT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 13:24:41 查看 閱讀�21

L1SS184LT1G 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適合用于各種高效率電源�(zhuǎn)換應(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
  這款 MOSFET 的封裝形式為 SOT-23,體積小巧,便于在緊湊型�(shè)�(jì)中使�,同�(shí)提供卓越的電氣性能和熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±12V
  連續(xù)漏極電流�1.7A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�50mΩ
  柵極電荷�4.6nC
  �(kāi)�(guān)速度:快速開(kāi)�(guān)
  工作溫度范圍�-55� � 150�

特�

L1SS184LT1G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力使其非常適合高頻�(yīng)�,能夠降低開(kāi)�(guān)損耗�
  3. 小巧� SOT-23 封裝節(jié)省了 PCB 空間,同�(shí)具備良好的散熱性能�
  4. 高可靠性設(shè)�(jì)確保其能夠在惡劣的工作環(huán)境下�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)�(jì)��

�(yīng)�

L1SS184LT1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 移動(dòng)�(shè)備中的電源管理模塊,如手�(jī)和平板電��
  2. 便攜式電子產(chǎn)品的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
  3. 小功� DC-DC �(zhuǎn)換器和降壓電��
  4. 電池供電�(shè)備中的保�(hù)電路�
  5. 小型電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的信�(hào)切換功能�

替代型號(hào)

L1SS184LT1GTR, L1SS184LTDTR, BSS138, FDN340P

l1ss184lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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