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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > L2N7002DW1T1G

L2N7002DW1T1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 10:49:27 查看 閱讀�20

L2N7002DW1T1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的增�(qiáng)型功率晶體管,由 Exagan 公司制造。該器件采用 DFN8 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于高頻電源�(zhuǎn)換應(yīng)用。這款 GaN 功率晶體管在效率、尺寸和熱性能方面表現(xiàn)出色,能夠顯著提升電力電子系�(tǒng)的整體性能�
  由于其出色的電氣特性和可靠�,L2N7002DW1T1G 廣泛用于消費(fèi)類電子、工�(yè)�(shè)備以及通信電源等場��

參數(shù)

類型:增�(qiáng)型功率晶體管
  材料:氮化鎵 (GaN)
  Vds(漏源電壓)�650 V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�140 mΩ(典型值,@Vgs=6 V�
  Id(連續(xù)漏極電流):7 A
  Qg(總柵極電荷):35 nC
  Ciss(輸入電容)�2300 pF
  封裝形式:DFN8
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

L2N7002DW1T1G 的主要特�(diǎn)是采用了先�(jìn)� GaN 技�(shù),這使得它具備以下�(yōu)�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),從而減少傳�(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支� MHz 級別的開�(guān)頻率,有助于減小無源元件的體積和重量�
  3. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高了器件的抗靜電能力�
  4. 更高的能效表�(xiàn),適合緊湊型�(shè)計需��
  5. 可靠性經(jīng)過驗(yàn)證,滿足�(yán)苛的工作�(huán)境要求�
  此外,其小型化的 DFN8 封裝�(jìn)一步優(yōu)化了 PCB 布局空間,同時改善散熱性能�

�(yīng)�

L2N7002DW1T1G 適用于多種高頻高效的電源�(zhuǎn)換場合,包括但不限于�
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的 PFC(功率因�(shù)校正)級和主功率變換��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,例如電動汽車充電器或通信基站中的中間母線�(zhuǎn)換器�
  3. 快速充電適配器,為手機(jī)、平板電腦和其他便攜式設(shè)備提供高效的小型解決方案�
  4. LED �(qū)動器,用于高亮度照明系統(tǒng)�
  5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動控制和 UPS(不間斷電源)系�(tǒng)�
  這些�(yīng)用場景充分利用了 GaN 晶體管的高性能特點(diǎn),使�(chǎn)品更加節(jié)能且更具競爭��

替代型號

L2N7002DW2T1G

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