L2N7002KDW1T1G 是一款基于硅技�(shù)� N 沯道功率 MOSFET,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn)。該器件采用 TO-263 封裝形式,適用于多種工業(yè)和汽車應(yīng)用領(lǐng)域。其高效率和高可靠性使其成為眾多功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電壓:70V
連續(xù)漏極電流�2.8A
�(dǎo)通電阻:45mΩ(典型值)
柵極電荷�13nC(典型值)
開關(guān)�(shí)間:ton=9ns,toff=25ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
L2N7002KDW1T1G 的主要特性包括低�(dǎo)通電阻以減少傳導(dǎo)損耗、優(yōu)化的柵極電荷以實(shí)�(xiàn)高效開關(guān)操作、增�(qiáng)的熱性能以及高度可靠的封裝設(shè)�(jì)。此�,該器件在高溫環(huán)境下仍能保持出色的穩(wěn)定性和耐用性�
由于采用了先�(jìn)的制造工�,該器件能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。同�(shí),它還具有較�(qiáng)的抗靜電能力(ESD�,可以保�(hù)器件免受外界干擾�(dǎo)致的損壞�
這款 MOSFET 還具備出色的雪崩能力,在異常條件下可以提供額外的安全保障�
L2N7002KDW1T1G 廣泛�(yīng)用于各種需要高性能功率開關(guān)的場�,如直流無刷電機(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理模�、逆變�、LED �(qū)�(dòng)電路以及汽車電子控制系統(tǒng)��
此外,該器件也適合用于負(fù)載開�(guān)、電池管理單元和 DC-DC �(zhuǎn)換器�,能夠滿足嚴(yán)格的效率和散熱要求�
L2N7002KDW1T1GA, FDP5802, IRFZ44N