L2N7002SLT1G是一款雙通道N溝道MOSFET功率晶體�,采用SO-8封裝形式。該器件專為高效�、低功耗應(yīng)用設(shè)�(jì),適用于開關(guān)電源、DC/DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)等場(chǎng)��
它具有極低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)),從而能夠減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。同�(shí),其出色的開�(guān)性能和高擊穿電壓使其非常適合需要快速開�(guān)和高可靠性的�(yīng)用環(huán)境�
最大漏源電壓:45V
連續(xù)漏極電流�2.9A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ
柵極電荷�15nC
總電容:25pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:SO-8
L2N7002SLT1G具有以下�(guān)鍵特性:
1. 雙通道�(shè)�(jì),便于同步控制兩�(gè)�(dú)立電路�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(典型值為35mΩ�,可有效降低�(dǎo)通損��
3. 高速開�(guān)能力,支持高頻工�,適合現(xiàn)代高效能電源�(shè)�(jì)�
4. 出色的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下仍能保持高性能�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
6. 小型化SO-8封裝,有助于節(jié)省PCB空間并簡(jiǎn)化布局�(shè)�(jì)�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率級(jí)控制�
2. DC/DC�(zhuǎn)換器的核心開�(guān)元件�
3. 各類�(fù)載開�(guān),例如USB端口保護(hù)或電池管��
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和H橋電路中的功率開�(guān)�
5. 過流保護(hù)和短路保�(hù)電路�
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)�(shè)備及通信�(shè)備中的電源管理模��
LTC4412、IRF7413、AO3400