L2N7002WT1G 是一� N 溝道邏輯電平增強(qiáng)� MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,適合用于各種功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)�。其封裝形式� SOT-23 封裝,適用于空間受限的設(shè)�(jì)。L2N7002WT1G 的工作電壓范圍較�,能夠滿足多種不同的電路需��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�0.26A
柵極-源極電壓:�20V
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.9Ω
功耗:0.28W
工作溫度范圍�-55� � 150�
L2N7002WT1G 具有較低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
它還具有非常短的開關(guān)�(shí)間,確保在高頻操作時(shí)性能�(yōu)��
由于采用� SOT-23 封裝,該器件非常適合用于便攜式設(shè)備和其他對尺寸敏感的�(yīng)用場景�
此外,其高雪崩能力和�(wěn)健的熱性能使得 L2N7002WT1G 在嚴(yán)苛條件下也能可靠�(yùn)行�
L2N7002WT1G 廣泛�(yīng)用于電源管理、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)動器以及背光 LED �(qū)動等�(lǐng)域�
它也可以用作電池保護(hù)開關(guān)或信號電平轉(zhuǎn)��
在消�(fèi)電子�(lǐng)域中,比如智能手�(jī)和平板電�,這款 MOSFET 常被用來�(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和控制功能�
L2N7002TR1G, BSS138