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L2SA1774QT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 20:48:26 查看 閱讀�19

L2SA1774QT1G 是一款高性能� N 沒道溝槽型功� MOSFET,采� QFN 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適合應(yīng)用于需要高效能�(zhuǎn)換和低功耗的場景。由于其出色的電氣性能和高可靠性,這款 MOSFET 廣泛用于電源管理、電機驅(qū)動以及各種工�(yè)和消費類電子�(shè)備中�
  該器件的工作電壓范圍較寬,能夠承受較高的漏源極電�,同時具備良好的熱性能表現(xiàn),使其在高溫�(huán)境下依然保持�(wěn)定工作�

參數(shù)

類型:N 沒道 MOSFET
  封裝:QFN
  漏源極電� (Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流 (Id)�38A
  �(dǎo)通電� (Rds(on))�3.5mΩ
  柵極電荷 (Qg)�39nC
  總功� (Ptot)�14W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  最大結(jié)溫:175�

特�

L2SA1774QT1G 的主要特性包括低�(dǎo)通電阻(典型值為 3.5mΩ�,這使得其傳導(dǎo)損耗極�,非常適合用于高效率的應(yīng)用場�。此�,該器件的快速開�(guān)能力減少了開�(guān)損�,并提高了系�(tǒng)的整體效��
  器件還具備優(yōu)異的熱性能和高魯棒�,可承受短路狀況下的高電流沖擊。內(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)計優(yōu)化了柵極�(qū)動需�,降低了�(qū)動功率損�。同時,QFN 封裝確保了良好的散熱特性和較小的占板面�,適用于緊湊型設(shè)��
  L2SA1774QT1G 還通過了多項嚴格的�(zhì)量和可靠性測試,確保其能夠在惡劣�(huán)境下長期可靠運行�

�(yīng)�

L2SA1774QT1G 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流電�、電機驅(qū)動電�、負載開�(guān)以及電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域。其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性特別適合于高頻率開�(guān)�(yīng)�,如筆記本電腦適配器、通信電源、服�(wù)器電源和電動車充電設(shè)備等�
  此外,該器件在工�(yè)自動化控制、家用電器以� LED �(qū)動電源中的表�(xiàn)也十分出�。憑借其高效率和高可靠性,L2SA1774QT1G 成為許多工程師在功率�(zhuǎn)換和電機控制�(lǐng)域中的首選解決方��

替代型號

L2SA1773QT1G
  IRF7734
  FDP5570
  STP70NF06LL

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