L2SA812RLT1G 是一款高性能� N 灃道晶體管(N-Channel MOSFET),廣泛應用于需要高效開關和功率管理的場�。該器件采用了先進的制造工�,確保了低導通電阻和高效�,適合用� DC-DC 轉換�、負載開關、電機驅動等多種應用�
其封裝形式為 LFPAK56E,具備良好的散熱性能,并且能夠承受較高的電流負載。L2SA812RLT1G 的主要特點包括出色的 Rds(on) 特性和快速的開關速度,這些特性使其在�(xiàn)代電子設計中非常受歡��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�79A
導通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�82nC
總電容:3260pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
L2SA812RLT1G 提供了超低的導通電�,這有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
它還具有極快的開關速度,可以滿足高頻應用場景的需��
LFPAK56E 封裝增強了器件的散熱能力,從而提高了整體的可靠性和�(wěn)定��
此外,該器件的工作溫度范圍較�,適應多種惡劣環(huán)境下的應用需��
L2SA812RLT1G 主要應用于以下領域:
1. 高效 DC-DC 轉換器中的同步整流開�
2. 筆記本電腦和服務器的電源管理系統(tǒng)
3. 工業(yè)設備中的負載開關
4. 電動汽車及混合動力汽車中的電池管理模�
5. 各類電機驅動電路
6. 保護電路,如過流保護和短路保�
L2SA802RKL1G, L2SA812RKD1G