L2SC3838LT1G是一款由ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TOLL封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�,適用于多種高效率電源管理應(yīng)��
這款MOSFET特別適合用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池保護(hù)電路等領(lǐng)域。其卓越的熱性能和電氣特性使其成為高功率密度�(shè)�(jì)的理想選��
型號(hào):L2SC3838LT1G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:TOLL
漏源極擊穿電壓(Vds):30V
連續(xù)漏極電流(Id):164A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷(Qg):78nC
輸入電容(Ciss):3985pF
總功耗(Ptot):234W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
L2SC3838LT1G具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流(164A�,支持大功率�(yīng)��
3. 較小的封裝尺寸(TOLL�,有助于節(jié)省PCB空間�
4. 出色的熱性能,能夠在高功率密度下保持�(wěn)定運(yùn)��
5. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C�+175°C),適應(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
6. 快速開�(guān)速度,降低開�(guān)損耗并提升�(dòng)�(tài)性能�
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛設(shè)�(jì)�
L2SC3838LT1G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主開�(guān)或同步整流器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的半橋或全橋配��
4. �(fù)載開�(guān)�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)高效的電流控��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)和切換功��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制�
7. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開�(guān)�(yīng)用�
LTC4446-1, IRFZ44N, FDP5500