L35L12VCB2是一種基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,專為高頻開關應用設�。該器件具有高開關速度、低導通電阻和高擊穿電壓等特性,適用于電源管�、DC-DC轉換器、無線充電模塊以及LED驅動器等場景。通過采用先進的封裝技�,L35L12VCB2能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定性能�
類型:功率晶體管
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓:120V
持續(xù)漏電流:35A
導通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�75nC
開關頻率:最高可�5MHz
結溫范圍�-55℃至+175�
封裝形式:CB2(超薄型表面貼裝�
L35L12VCB2具有以下顯著特性:
1. 高效開關性能:得益于氮化鎵技�,該器件具備極低的導通電阻和柵極電荷,可顯著降低功率損��
2. 小型化封裝:CB2封裝尺寸緊湊,適合高密度電路板布局�
3. 耐高溫能力:在高�175℃的工作溫度下仍能保持穩(wěn)定性能�
4. 快速開關速度:支持高�5MHz的開關頻�,非常適合高頻應��
5. 強大的抗浪涌能力:能夠承受瞬�(tài)高壓,提高系統可靠��
6. 低電磁干擾(EMI):�(yōu)化的內部結構減少了開關過程中的噪聲產生�
L35L12VCB2廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS):用于提高電源效率和減小體��
2. DC-DC轉換器:實現高效能量轉換,特別適用于電動汽車和工�(yè)設備�
3. 無線充電模塊:提供高效的能量傳輸,滿足消費電子需求�
4. LED驅動器:用于大功率LED照明系統,確保恒定電流輸��
5. 電機驅動:支持快速動�(tài)響應和精確控��
6. 充電器與適配器:提升快充性能并減少發(fā)��
L30L100VCB2, GAN035-650WSB