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L6226QTR 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/19 19:11:57 查看 閱讀：24

L6226QTR 是一款由 STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）生產(chǎn)的高電壓半橋驅(qū)動(dòng)器，主要用于控制電機(jī)和其他電感性負(fù)載。該芯片內(nèi)置了高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，并支持高達(dá) 100V 的工作電壓，非常適合汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的應(yīng)用。
　　其設(shè)計(jì)允許直接驅(qū)動(dòng) N 漚道 MOSFET 或 IGBT，通過(guò)提供足夠的柵極驅(qū)動(dòng)電流來(lái)確保開(kāi)關(guān)器件快速切換。L6226QTR 還集成了多種保護(hù)功能，例如欠壓鎖定 (UVLO)、過(guò)流保護(hù)和熱關(guān)斷等，從而提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性。

參數(shù)

工作電壓：10V 至 100V
　　輸入信號(hào)電壓：3V 至 18V
　　最大輸出電流：±1A
　　邏輯輸入兼容性：CMOS/TTL
　　功耗：500mW
　　封裝形式：SO-8
　　工作溫度范圍：-40°C 至 150°C
　　傳播延遲：典型值 75ns

特性

L6226QTR 是一種高效的半橋驅(qū)動(dòng)器，具有以下特點(diǎn)：
　　1. 高耐壓能力，適用于惡劣的汽車和工業(yè)環(huán)境。
　　2. 內(nèi)置死區(qū)時(shí)間控制以防止直通電流問(wèn)題。
　　3. 提供快速的上升和下降時(shí)間，減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 支持自舉電路用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè) MOSFET。
　　5. 強(qiáng)大的短路保護(hù)機(jī)制能夠有效避免因負(fù)載異常引起的損壞。
　　6. 小巧的 SO-8 封裝節(jié)省 PCB 空間，同時(shí)保持良好的散熱性能。

應(yīng)用

L6226QTR 廣泛應(yīng)用于需要高效驅(qū)動(dòng)和控制的場(chǎng)合，包括但不限于：
　　1. 直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
　　2. 步進(jìn)電機(jī)控制。
　　3. 開(kāi)關(guān)電源和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)驅(qū)動(dòng)。
　　4. 汽車電子系統(tǒng)中的電磁閥驅(qū)動(dòng)。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的繼電器或接觸器控制。
　　6. 其他需要精確控制電感性負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

L6226DT, L6226DTR

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l6226qtr參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件L6226Q View All Specifications
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開(kāi)關(guān)
  • 系列-
  • 類型半橋
  • 輸入類型非反相
  • 輸出數(shù)4
  • 導(dǎo)通狀態(tài)電阻730 毫歐
  • 電流 - 輸出 / 通道1.4A
  • 電流 - 峰值輸出2.8A
  • 電源電壓8 V ~ 52 V
  • 工作溫度-25°C ~ 125°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼32-VFQFN，32-VFQFPN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝32-VFQFPN 裸露焊盤（4x4）
  • 包裝Digi-Reel®
  • 配用497-6816-ND - EVAL BOARD FOR L6226Q
  • 其它名稱497-6862-6