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L6226QTR 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/19 19:11:57 查看 閱讀:24

L6226QTR 是一款由 STMicroelectronics(意法半導(dǎo)體)生產(chǎn)的高電壓半橋驅(qū)動(dòng)器,主要用于控制電機(jī)和其他電感性負(fù)載。該芯片內(nèi)置了高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,并支持高達(dá) 100V 的工作電壓,非常適合汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的應(yīng)用。
  其設(shè)計(jì)允許直接驅(qū)動(dòng) N 漚道 MOSFET 或 IGBT,通過(guò)提供足夠的柵極驅(qū)動(dòng)電流來(lái)確保開(kāi)關(guān)器件快速切換。L6226QTR 還集成了多種保護(hù)功能,例如欠壓鎖定 (UVLO)、過(guò)流保護(hù)和熱關(guān)斷等,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性。

參數(shù)

工作電壓:10V 至 100V
  輸入信號(hào)電壓:3V 至 18V
  最大輸出電流:±1A
  邏輯輸入兼容性:CMOS/TTL
  功耗:500mW
  封裝形式:SO-8
  工作溫度范圍:-40°C 至 150°C
  傳播延遲:典型值 75ns

特性

L6226QTR 是一種高效的半橋驅(qū)動(dòng)器,具有以下特點(diǎn):
  1. 高耐壓能力,適用于惡劣的汽車和工業(yè)環(huán)境。
  2. 內(nèi)置死區(qū)時(shí)間控制以防止直通電流問(wèn)題。
  3. 提供快速的上升和下降時(shí)間,減少開(kāi)關(guān)損耗。
  4. 支持自舉電路用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè) MOSFET。
  5. 強(qiáng)大的短路保護(hù)機(jī)制能夠有效避免因負(fù)載異常引起的損壞。
  6. 小巧的 SO-8 封裝節(jié)省 PCB 空間,同時(shí)保持良好的散熱性能。

應(yīng)用

L6226QTR 廣泛應(yīng)用于需要高效驅(qū)動(dòng)和控制的場(chǎng)合,包括但不限于:
  1. 直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
  2. 步進(jìn)電機(jī)控制。
  3. 開(kāi)關(guān)電源和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)驅(qū)動(dòng)。
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的電磁閥驅(qū)動(dòng)。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的繼電器或接觸器控制。
  6. 其他需要精確控制電感性負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

L6226DT, L6226DTR

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l6226qtr參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件L6226Q View All Specifications
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開(kāi)關(guān)
  • 系列-
  • 類型半橋
  • 輸入類型非反相
  • 輸出數(shù)4
  • 導(dǎo)通狀態(tài)電阻730 毫歐
  • 電流 - 輸出 / 通道1.4A
  • 電流 - 峰值輸出2.8A
  • 電源電壓8 V ~ 52 V
  • 工作溫度-25°C ~ 125°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼32-VFQFN,32-VFQFPN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝32-VFQFPN 裸露焊盤(4x4)
  • 包裝Digi-Reel®
  • 配用497-6816-ND - EVAL BOARD FOR L6226Q
  • 其它名稱497-6862-6