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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > L9959T-D

L9959T-D 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 18:41:51 查看 閱讀�33

L9959T-D 是一款高性能的功率MOSFET,專為高效率和高可靠性應(yīng)用而設(shè)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適用于多種電源管理場景�

參數(shù)

型號:L9959T-D
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
  總功耗:180W
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

L9959T-D具備出色的電氣性能,包括低�(dǎo)通電�、高電流承載能力和快速開�(guān)能力。此�,它還擁有良好的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力(ESD保護(hù)�。其緊湊的封裝形式有助于節(jié)省PCB空間,并支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自動化生產(chǎn)�
  該芯片在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能,因此非常適合對可靠性和效率要求較高的應(yīng)用場景�

�(yīng)�

L9959T-D廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動電路、負(fù)載開�(guān)以及電池管理系統(tǒng)�。由于其�(qiáng)大的電流處理能力和高效的開關(guān)特性,它也常用于工�(yè)控制�(lǐng)域和汽車電子系統(tǒng)��

替代型號

L9959T-A, L9959T-B, L9959T-C

l9959t-d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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