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LBAT54SLT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 10:25:51 查看 閱讀�18

LBAT54SLT1G 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝的低噪聲放大器(LNA)芯片,廣泛�(yīng)用于射頻和微波通信系統(tǒng)�。該芯片具有高增�、低噪聲系數(shù)和出色的線性度,適合用于無線通信、衛(wèi)星接收和其他高頻�(yīng)�。它通常以表面貼裝形式提供,便于集成到各種電路設(shè)�(jì)��
  這款芯片的設(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足高性能射頻前端的需求,其封裝小�,支持寬泛的工作頻率范圍,并且在不同溫度條件下能夠保持穩(wěn)定的性能�

參數(shù)

型號:LBAT54SLT1G
  工作頻率范圍�0.7 GHz � 3.8 GHz
  增益�16 dB 典型�
  噪聲系數(shù)�0.8 dB 典型�
  輸入回波損耗:12 dB 典型�
  輸出回波損耗:12 dB 典型�
  電源電壓�3.3 V
  靜態(tài)電流�40 mA 典型�
  封裝形式:SOT-89-5

特�

LBAT54SLT1G 的主要特�(diǎn)是其低噪聲系�(shù),使其非常適合對信號完整性要求極高的�(yīng)用場�。此�,它的增益較高且�(wěn)�,在較寬的工作頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)一�。芯片采用了高效的砷化鎵異質(zhì)�(jié)雙極晶體管(pHEMT)技�(shù),從而保證了�(yōu)異的線性度和穩(wěn)定��
  此外,LBAT54SLT1G 還具備較低的功�,能夠在電池供電�(shè)備中延長使用�(shí)間。其緊湊� SOT-89-5 封裝也使其易于集成到小型化產(chǎn)品設(shè)�(jì)��
  對于需要在惡劣�(huán)境下工作的應(yīng)用,該芯片能夠在 -40°C � +85°C 的溫度范圍內(nèi)正常�(yùn)�,同�(shí)保持�(guān)鍵性能指標(biāo)的一致性�

�(yīng)�

LBAT54SLT1G 廣泛適用于多種高頻通信場景,包括但不限于:
  1. 無線通信基站的射頻前端模�
  2. �(wèi)星通信系統(tǒng)的地面站接收�(shè)�
  3. GPS � GNSS 接收�(jī)
  4. 雷達(dá)系統(tǒng)中的低噪聲信號放�
  5. �(diǎn)對點(diǎn)微波鏈路�(shè)�
  由于其卓越的性能和可靠�,該芯片成為許多高性能射頻�(yīng)用的理想選擇�

替代型號

LBAT55SLT1G
  LBAT56SLT1G

lbat54slt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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